實驗及結果根據(jù)以上分析，本文設計一臺基于反激變換器的可控硅調光LED驅動器，控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V，最大輸出功率為25W，比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負載;RC時間系數(shù)選擇0.5，增益為0.2。電路的實驗波形和工作特性曲線如圖4所示。圖4a)、b)、c)為可控硅導通角為115°時阻抗匹配開關驅動電壓VZ、輸入電流Iin、輸入電壓Vin的波形，電路的輸出電流為470mA，功率因數(shù)為0.78。從圖中可看出，當可控硅導通瞬間，由于驅動器輸入端有差模濾波電容導致輸入電流有沖擊電流尖峰，而當輸入電流小于一定值時，阻抗匹配開關開通以保證流過可控硅的電流大于其維持電流。MOSFET驅動：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅動電壓范圍一般在-10~20V之間。奉賢區(qū)質量驅動電路貨源充足

在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側的P+ 區(qū)稱為漏注入區(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。金山區(qū)優(yōu)勢驅動電路量大從優(yōu)MOSFET驅動電路：使用MOSFET（場效應晶體管）作為開關元件，適用于高效能的開關電源和電機驅動。

-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當為各個應用選擇IGBT驅動器時，必須考慮下列細節(jié)：· 驅動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅動功率PG。驅動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值。· 驅動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流。· 驅動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅動器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅動器時必須要考慮。

這樣一來，輸出高低電平時，T3 一路和 T4 一路將交替工作，從而減低了功耗，提高了每個管的承受能力。又由于不論走哪一路，管子導通電阻都很小，使 RC 常數(shù)很小，轉變速度很快。因此，推拉式輸出級既提高電路的負載能力，又提高開關速度。推挽結構一般是指兩個三極管分別受兩互補信號的控制，總是在一個三極管導通的時候另一個截止。要實現(xiàn)線與需要用 OC（open collector）門電路。推挽電路適用于低電壓大電流的場合，廣泛應用于功放電路和開關電源中。物理意義：指推動或驅使某物運動的力量或機制。例如，汽車的發(fā)動機驅動汽車前進。

IGBT驅動：IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開發(fā)，其驅動電壓范圍為-15~15V。IGBT驅動電路分為正壓驅動和負壓驅動，負壓關斷可以避免誤導通風險，加快關斷速度，減小關斷損耗。IGBT的驅動電路一般采用**的驅動芯片，如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。五、驅動電路的應用顯示控制：驅動電路可以將數(shù)字信號轉換為模擬信號，以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設備；也可以將模擬信號轉換為數(shù)字信號，以控制數(shù)碼管等顯示設備。隔離型驅動電路：包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅動電路。崇明區(qū)優(yōu)勢驅動電路設計

顯示控制：驅動電路可以將數(shù)字信號轉換為模擬信號，以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設備；奉賢區(qū)質量驅動電路貨源充足

3、調節(jié)功率開關器件的通斷速度柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗小；反之則慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高，從而產生較大的干擾，嚴重的將使整個裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下，柵極電阻的選取會有很大的差異。初試可如下選取：不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求，可在其參數(shù)手冊的推薦值附近調試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅動的功率決定，一般來說柵極電阻的總功率應至少是柵極驅動功率的2倍。奉賢區(qū)質量驅動電路貨源充足

祥盛芯城（上海）半導體有限公司是一家有著先進的發(fā)展理念，先進的管理經驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在上海市等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強、一往無前的進取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同祥盛芯城供應和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產品，我們將以更好的狀態(tài)，更認真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！