此時(shí)，存儲(chǔ)在電感內(nèi)的總能量(J)為：J=Li2pk/2這樣，盡管此時(shí)開關(guān)會(huì)關(guān)閉，但流經(jīng)電感的電流并不會(huì)中斷。這會(huì)使二極管D1導(dǎo)通，并在電感兩端產(chǎn)生輸出電壓(-Vo)，這個(gè)負(fù)電壓會(huì)導(dǎo)致電感電流迅速下降。經(jīng)過(guò)一定時(shí)間tOFF后，電感電流趨于零。此時(shí)間可通過(guò)下列公式來(lái)計(jì)算：tOFF=ipkL/VO為使轉(zhuǎn)換器工作在非連續(xù)導(dǎo)通模式下，開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間與電感電流下降時(shí)間的總和必須小于或等于開關(guān)周期TS，以便確保在下一個(gè)開關(guān)周期時(shí)，電感電流能夠從零開始。事實(shí)上，在輸入電壓**小和輸出電壓比較大的情況下，(tON+tOFF)可取得比較大值。因此，確保在這些電壓下轉(zhuǎn)換器工作于非連續(xù)導(dǎo)通模式可保證在任何情況下都能滿足下式所列的條件： tON+tOFF≤Ts轉(zhuǎn)換器從輸入端獲得的功率(Pin)電感中的能量與開關(guān)頻率f的乘積上海芯北電子為您深入講解智能控制驅(qū)動(dòng)器件產(chǎn)品介紹，掌握產(chǎn)品精髓！河南節(jié)能控制驅(qū)動(dòng)器件

TI 智能調(diào)優(yōu)技術(shù)在步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的創(chuàng)新應(yīng)用在步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，TI 的智能調(diào)優(yōu)技術(shù)展現(xiàn)出了***的創(chuàng)新能力和應(yīng)用價(jià)值。該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)高效的步進(jìn)驅(qū)動(dòng)，通過(guò)自動(dòng)調(diào)整電流斬波衰減模式，有效減少了功率損耗和熱耗散，使得步進(jìn)電機(jī)在運(yùn)行過(guò)程中更加節(jié)能、穩(wěn)定。在運(yùn)行的平穩(wěn)性和靜音效果方面，借助自動(dòng)調(diào)優(yōu)衰減模式，能夠***降低噪聲和振動(dòng)，同時(shí)確保盡可能小的步進(jìn)損耗，為用戶帶來(lái)更加安靜、精細(xì)的步進(jìn)電機(jī)運(yùn)行體驗(yàn)。在使用過(guò)程中，其自動(dòng)設(shè)置衰減模式比率的功能極大地簡(jiǎn)化了操作流程，無(wú)需在步進(jìn)電機(jī)設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行繁瑣的微調(diào)，降低了技術(shù)門檻，提高了開發(fā)效率。像 DRV8889 - Q1、DRV8434 等型號(hào)的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，正是憑借這一智能調(diào)優(yōu)技術(shù)，在智能家居、辦公設(shè)備等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。崇明區(qū)代理控制驅(qū)動(dòng)器件上海芯北電子智能控制驅(qū)動(dòng)器件量大從優(yōu)，智能控制驅(qū)動(dòng)器件究竟包含什么？快來(lái)知曉！

只要EN/UV引腳拉出的電流超過(guò)115 μA，U1中的MOSFET都會(huì)以逐周期的方式被禁止(開/關(guān)控制)。通過(guò)調(diào)整使能與禁止開關(guān)周期的比例，反饋環(huán)路可以調(diào)節(jié)輸出電壓或電流。開/關(guān)控制方式同時(shí)優(yōu)化了不同負(fù)載情況下的轉(zhuǎn)換器效率，使之符合能效標(biāo)準(zhǔn)。由于環(huán)境溫度高，U1將在降低的電流限流點(diǎn)模式下進(jìn)行工作。這樣可以提高電源的整體效率并改善其散熱性能。初級(jí)箝位(D1、VR1、C3及R3)將比較大峰值漏極電壓控制在內(nèi)部MOSFET的700 V BVDSS擊穿電壓之下。電阻R23減小高頻漏感振蕩，從而降低EMI。次級(jí)側(cè)的輸出通過(guò)二極管D2、D3和C6進(jìn)行整流和濾波。三、設(shè)計(jì)要點(diǎn)1、要選擇快速二極管而不能選擇超快二極管，通過(guò)恢復(fù)部分漏感能量來(lái)提高效率。

 LO是低側(cè)門極驅(qū)動(dòng)輸出，COM是低側(cè)回流，用于控制下半橋的MOS導(dǎo)通。從內(nèi)部原理來(lái)看，輸入信號(hào)經(jīng)過(guò)死區(qū)/擊穿保護(hù)電路后分兩路進(jìn)入上下兩組CMOS電路。下路“0”控制導(dǎo)通，上路“1”導(dǎo)通且需先通過(guò)高脈沖電流緩沖級(jí)進(jìn)行信號(hào)緩沖和電平轉(zhuǎn)換。在半橋驅(qū)動(dòng)中，IR2104通過(guò)Vb和Vs腳之間外接的“自舉電容”來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)MOS的控制。當(dāng)下橋臂開通，上橋臂關(guān)斷時(shí)，Vcc通過(guò)自舉二極管對(duì)自舉電容充電；當(dāng)上橋臂開通時(shí)，自舉電容作為浮動(dòng)電壓源驅(qū)動(dòng)上橋臂MOS。在實(shí)際應(yīng)用中，需要注意合理選擇自舉二極管和自舉電容的參數(shù)，以確保電路工作在比較好狀態(tài)，并且要注意電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路可能產(chǎn)生的回灌電流對(duì)單片機(jī)的影響，必要時(shí)可采用隔離芯片進(jìn)行隔離。哪里能買到智能控制驅(qū)動(dòng)器件？上海芯北電子提供便捷購(gòu)買途徑！

LED驅(qū)動(dòng)電源存在不足的原因： (1) 生產(chǎn)LED照明及相關(guān)產(chǎn)品的公司的技術(shù)人員對(duì)開關(guān)電源的了解不夠，做出的電源是可以正常工作，但一些關(guān)鍵性的評(píng)估及電磁兼容的考慮不夠，還是有一定得隱患； (2) 大部分LED電源生產(chǎn)企業(yè)都是從普通的開關(guān)電源轉(zhuǎn)型過(guò)來(lái)做LED電源，對(duì)LED的特點(diǎn)及使用認(rèn)識(shí)還不夠； (3) 關(guān)于LED的標(biāo)準(zhǔn)幾乎沒有，大部分都是參考開關(guān)電源和電子整流器的標(biāo)準(zhǔn)； (4) 大部分LED電源沒有統(tǒng)一，所以量大部分都比較小。采購(gòu)量小，價(jià)格就偏高，而且元器件供應(yīng)商也不太配合； (5) LED電源的穩(wěn)定性：寬電壓輸入，高溫和低溫工作，過(guò)溫、過(guò)壓保護(hù)等問題都沒有一一解決； 首先是驅(qū)動(dòng)電路整體壽命，尤其是關(guān)鍵器件如：電容在高溫下的壽命直接影響到電源的壽命； 其次是LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)挑戰(zhàn)更高的轉(zhuǎn)換效率，尤其是在驅(qū)動(dòng)大功率LED時(shí)更是如此，因?yàn)樗形醋鳛楣廨敵龅墓β识甲鳛闊崃亢纳ⅲ娫崔D(zhuǎn)換效率的過(guò)低，影響了LED節(jié)能效果的發(fā)揮；在功率較小（1-5W）的應(yīng)用場(chǎng)合，恒流驅(qū)動(dòng)電源成本所占的比重已經(jīng)接近1/3，已經(jīng)接近了光源的成本，一定程度上影響了市場(chǎng)推廣。智能控制驅(qū)動(dòng)器件哪里有品質(zhì)好的？上海芯北電子以品質(zhì)取勝！青浦區(qū)控制驅(qū)動(dòng)器件量大從優(yōu)

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回掃轉(zhuǎn)換器的另一個(gè)缺點(diǎn)是它易受輸出開路狀態(tài)的影響。當(dāng)LED開路時(shí)，存儲(chǔ)在電感內(nèi)的能量在每次開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間的***都會(huì)被轉(zhuǎn)移到輸出電容里。這樣，缺少電容放電的負(fù)載將導(dǎo)致電容兩端的電壓逐漸上升，***超過(guò)器件的標(biāo)稱值并損壞功率級(jí)。因此，可通過(guò)增加額外電路來(lái)提供輸出電壓反饋及過(guò)壓保護(hù)。輸出電壓反饋圖4是一個(gè)可實(shí)現(xiàn)過(guò)壓保護(hù)和LED開路保護(hù)的額外電路。實(shí)際上，很多峰值電流模式控制器IC都具有**的RT引腳。與該引腳相連的電阻可用來(lái)設(shè) 置內(nèi)部電流，其內(nèi)部電流用來(lái)給振蕩器電容(可以是內(nèi)部或外部)充電。振蕩器電容上的斜坡電壓控制開關(guān)頻率，這樣，開關(guān)頻率與RT引腳的輸出電流成正比。電阻越小(大)，電流就越大(小)，開關(guān)頻率也就越高(低)。基于這一原理，可利用輸出電壓反饋來(lái)調(diào)整開關(guān)頻率。河南節(jié)能控制驅(qū)動(dòng)器件

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