廣東華芯半導體技術有限公司2025-10-21

IGBT模塊含陶瓷基板，控溫主要是平衡高溫需求與熱應力。升溫速率需控制在1-1.5℃/s，避免基板局部驟熱；最高溫度按焊料適配，如高溫焊料設320-350℃（匹配HTC系列320+℃工藝），保溫時間25-30s，確保焊料熔化且不超過基板耐受極限；冷卻速率降至2-3℃/s，減少基板與芯片收縮差。同時真空度設15-30Pa，排出焊區氣體防空洞。控溫誤差需≤±1℃，避免局部超溫。廣東華芯半導體技術有限公司的HTC系列設備，帶密封圈水冷結構，能穩定控溫防基板開裂。

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