GaN →Gallium Nitride是第三代新型半導體材料，具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、強度和高硬度等特性，在早期廣運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、半導體照明、新一代移動通信，被譽為第三代半導體材料。隨著技術突破成本得到控制，目前氮化鎵還被廣運用到消費類電子等領域，充電器便是其中一項。簡單的說，氮化鎵擁有更寬的帶隙，寬帶隙也意味著，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導電能力，相同體積下，采用氮化鎵技術的充電器比普通充電器輸出效率更高。打個比方說，采用氮化鎵材料做出來的充電頭，體積和蘋果5W充電器差不多大小的情況下，能實現更多的輸出功率。

氮化鎵是一種材料，它與協議無關，目前行業發展快充趨勢是PD充電器，所以大部分會應用在PD充電器上。采用氮化鎵MOS管的充電器，開關頻率可以提升，產品體積比傳統的硅MOS管充電器可以減少30~60%（單口輸出）重量降低20~40%。