應用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見,雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,我們稱為正向電壓,并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉折電壓UBO時,圖3(b)左邊的可控硅就觸發導通,這時的通態電流為I21,方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,觸發電流越大,轉折電壓就越低,這種情形和普通可控硅的觸發導通規律是一致的, 當加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時,叫做反向電壓,并用符號U12表示。當這個電壓達到轉折電壓值時,圖3(b)觸發導通,這時的電流為I12,其方向是從T1到T2。這時雙向可控硅的特性曲線,如圖4中第三象限所示。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。江蘇新型可控硅模塊量大從優

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓,而把觸發信號改為反向信號(圖5b),這時雙向可控硅觸發導通后,通態電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發叫做“***象限的負觸發”或稱為I-觸發方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c),輸入正向觸發信號,雙向可控硅導通后,通態電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,因此把這種觸發叫做Ⅲ+觸發方式。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12,輸入的是反向觸發信號(圖5d),雙向可控硅導通后,通態電流仍從T1流向T2。這種觸發就叫做Ⅲ-觸發方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發方式,但由于負信號觸發所需要的觸發電壓和電流都比較小。工作比較可靠,因此在實際使用時,負觸發方式應用較多。張家港使用可控硅模塊報價它具有體積小、效率高、壽命長等優點。

(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開關(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環境中,如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,并有足夠的柵電流激發可控硅(晶閘管)內部的正反饋,則也會被觸發導通。應用安裝時,首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時,可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度,也可以再并聯一個100nf的電容,來濾掉高頻噪聲。2、關于轉換電壓變化率當驅動一個大的電感性負載時,在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時,雙向可控硅(晶閘管)開始換向,但由于相移的關系,電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉,而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態。可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。

四種觸發方式可控硅四種觸發方式可控硅四種觸發方式由于在雙向可控硅的主電極上,無論加以正向電壓或是反向電壓,也不管觸發信號是正向還是反向,它都能被觸發導通,因此它有以下四種觸發方式:(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓,控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發信號(圖5a)。雙向可控硅觸發導通后,電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知,這時雙向可控硅觸發導通規律是按***象限的特性進行的,又因為觸發信號是正向的,所以把這種觸發叫做“***象限的正向觸發”或稱為I+觸發方式。 [按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。吳中區使用可控硅模塊現價
雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向導通功能。江蘇新型可控硅模塊量大從優
若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等。可控硅和其它半導體器件一樣,其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、***科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。江蘇新型可控硅模塊量大從優
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