這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關于連續峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓VDRM的最大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2]。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。相城區新型可控硅模塊銷售廠家

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時， 可控硅承受斷態重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM 和 IRRM。 [1]·通態(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態所必需的**小主電流，它與結溫有關，結溫越高， 則 IH 越小。 [1]相城區新型可控硅模塊銷售廠家大；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。

用R×1k或R×10k擋測陽極和控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右，如出現正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極和陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。萬用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。

若欲使可控硅關斷，也有兩個關斷條件：1） 使正向導通電流值小于其工作維持電流值；2） 使 A、K 之間電壓反向。可見，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發信號開通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會一直保持開通狀態。除非將電源開斷一次，才能使其關斷。若用于交流電 路，則在其承受正向電壓期間，若接受一個觸發信號，則一直保持導通，直到電壓過零點到 來，因無流通電流而自行關斷。在承受反向電壓期間，即使送入觸發信號，可控硅也因 A、 K 間電壓反向，而保持于截止狀態。 可控硅器件因工藝上的離散性，其觸發電壓、觸發電流值和導通壓降，很難有統一的標準。可控硅器件控制本質上如同三極管一樣，為電流控制器件。功率越大，所需觸發電流也 越大。可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。

但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下，面對標有字符的一面)。市場上最常見的幾種塑封外形結構雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。相城區新型可控硅模塊銷售廠家

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductor module）。相城區新型可控硅模塊銷售廠家

1、高壓晶閘管  2、用于未來能量轉換中的igbt和快速開關二極管  3、采用超級結技術的超高速開關器件  4、應用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度  半導體模塊之間的差異，不僅*體現在連接技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據集成度不同，可分為以下幾類：標準模塊，智能功率模塊（ipm），（集成）子系統。在ipm被***使用（尤其在亞洲地區）的同時，集成子系統的使用只剛剛起步。  相城區新型可控硅模塊銷售廠家

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