額定速態平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V，管壓降(通態平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。綜上所述，小結如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極，用硅半導體材料制成的管芯由其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。江蘇質量可控硅模塊量大從優

若欲使可控硅關斷，也有兩個關斷條件：1） 使正向導通電流值小于其工作維持電流值；2） 使 A、K 之間電壓反向?？梢?，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發信號開通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會一直保持開通狀態。除非將電源開斷一次，才能使其關斷。若用于交流電 路，則在其承受正向電壓期間，若接受一個觸發信號，則一直保持導通，直到電壓過零點到 來，因無流通電流而自行關斷。在承受反向電壓期間，即使送入觸發信號，可控硅也因 A、 K 間電壓反向，而保持于截止狀態。 可控硅器件因工藝上的離散性，其觸發電壓、觸發電流值和導通壓降，很難有統一的標準。可控硅器件控制本質上如同三極管一樣，為電流控制器件。功率越大，所需觸發電流也 越大。姑蘇區應用可控硅模塊現價由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。

從控制原理上可等效為一只 PNP 三極管和一只 NPN 三極管的連接電路， 兩管的基極電 流和集電極電流互為通路，具有強烈的正反反饋作用。一旦從 G、K 回路輸入 NPN 管子的 基極電流，由于正反饋作用，兩管將迅即進入飽合導通狀態?？煽毓鑼ㄖ螅膶?態完全依靠管子本身的正反饋作用來維持，即使控制電流（電壓）消失，可控硅仍處于導通 狀態?？刂菩盘?UGK 的作用**是觸發可控硅使其導通，導通之后，控制信號便失去控制 作用。單向可控硅的導通需要兩個條件：1） A、K 之間加正向電壓；2） G、K 之間輸入一個正向觸發電流信號，無論是直流或脈沖信號。

電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的***、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG1將產生基極電流Ib1，經放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。

這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關于連續峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓VDRM的最大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2]。大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。江蘇質量可控硅模塊量大從優

塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。江蘇質量可控硅模塊量大從優

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發導通后，通態電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發叫做“***象限的負觸發”或稱為I-觸發方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發信號，雙向可控硅導通后，通態電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發叫做Ⅲ+觸發方式。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發信號(圖5d)，雙向可控硅導通后，通態電流仍從T1流向T2。這種觸發就叫做Ⅲ-觸發方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發方式，但由于負信號觸發所需要的觸發電壓和電流都比較小。工作比較可靠，因此在實際使用時，負觸發方式應用較多。江蘇質量可控硅模塊量大從優

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