Mems加工工藝和微納加工大體上都是一樣的，只是表述不一樣而已，MEMS即是微機械電子系統，大多時候等同于微納系統是根據產品需要，在各類襯底（硅襯底，玻璃襯底，石英襯底，藍寶石襯底等等）制作微米級微型結構的加工工藝。微納傳感器加工工藝制作的微型結構主要是作為各類傳感器和執行器等，其中更加器件原理需要而制作的可動結構（齒輪，懸臂梁，空腔，橋結構等等）以及各種功能材料，本質上是將環境中的各種特征參數（溫度，壓力，氣體，流量等等）變化通過微型結構轉化為各種電信號（電壓，電阻，電流等等）的差異，以實現小型化高靈敏的傳感器和執行器。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法。深圳MEMS微納加工代工

通過光刻技術制作出的微納結構需進一步通過刻蝕或者鍍膜，才可獲得所需的結構或元件。刻蝕技術，是按照掩模圖形對襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術，可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法，大部份的濕刻蝕液均是各向同性的，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。而干刻蝕采用的氣體，或轟擊質量頗巨，或化學活性極高，均能達成刻蝕的目的。其較重要的優點是能兼顧邊緣側向侵蝕現象極微與高刻蝕率兩種優點。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術的要求，且在微納加工技術中被大量使用。甘肅鍍膜微納加工技術微納制造技術是微傳感器、微執行器、微結構和功能微納系統制造的基本手段和重要基礎。

在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發沉積（熱蒸發、電子束蒸發）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結合的混合方法，CVD和PECVD主要用于生長氮化硅、氧化硅等介質膜。

微流控芯片是在普通毛細管電泳的基本原理和技術的基礎上，利用微加工技術在硅、石英、玻璃或高分子聚合物基質材料上加工出各種微細結構，如管道、反應池、電極之類的功能單元，完成生物和化學等領域中所涉及的樣品制備、生化反應、處理（混合、過濾、稀釋）、分離檢測等一系列任務，具有快速、高效、低耗、分析過程自動化和應用范圍廣等特點的微型分析實驗裝置。目前已成為微全分析系統（micrototalanalysissystems,μ-TAS）和芯片實驗室（labonachip）的發展重點和前沿領域。為常見的聚合物微流控芯片形式。近年來，由于生化分析的復雜性和多樣性需求，微流控芯片技術的發展愈發趨于組合化和集成化，在一塊芯片基片上集成多種功能單元成為一種常見形式，普遍應用于醫學診斷、醫學分析、藥物篩選、環境監測和燃料電池技術等諸多領域。基于高通量快速分離的需要，多通道陣列并行操作是微流控芯片的發展的趨勢，芯片微通道數量已從較初的12通道、96通道，發展到現在的384通道。未來幾年微納制造系統和平臺的發展前景包括的方面：智能的、可升級的和適應性強的微納制造系統。

高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光，具有比較高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術*適用于小面積的微納結構制作。近年來，三維浮雕微納結構的需求越來越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺階微光學元件等。據悉，某公司新上市的手機產品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術中激光雷達光學系統也用到了復雜的微光學元件。這類精密的微納結構光學元件需采用灰度光刻技術進行制作。直寫技術，通過在光束移動過程中進行相應的曝光能量調節，可以實現良好的灰度光刻能力。我造技術的研究從其誕生之初就一直牢據行國的微納制造技術的研究與世界先進水平業的杰出位置。上海半導體微納加工代工

微納加工設備主要有：光刻、刻蝕、成膜、離子注入、晶圓鍵合等。深圳MEMS微納加工代工

微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統的優化設計、加工、組裝、系統集成與應用技術。微納加工按技術分類，主要分為平面工藝、探針工藝、模型工藝。主要介紹微納加工的平面工藝，平面工藝主要可分為薄膜工藝、圖形化工藝（光刻）、刻蝕工藝。光刻是微納加工技術中較關鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平決定產品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發生反應。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠，就實現了圖形從光刻板到基底的轉移。深圳MEMS微納加工代工