真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術的發展，濺射鍍膜技術飛速發展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點為：鍍膜層與基材的結合力強；鍍膜層致密、均勻；設備簡單，操作方便，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應用較多的是磁控濺射法。通過PVD制備的薄膜通常存在應力問題，不同材料與襯底間可能存在壓應力或張應力。江蘇叉指電極真空鍍膜技術

真空鍍膜：可鍍材料普遍：離子鍍由于是利用高能離子轟擊工件表面，使大量的電能在工件表面轉換成熱能，從而促進了表層組織的擴散作用和化學反應。然而，整個工件，特別是工件心部并未受到高溫的影響。因此這種鍍膜工藝的應用范圍較廣，受到的局限性則較小。通常，各種金屬、合金以及某些合成材料、絕緣材料、熱敏材料和高熔點材料等均可鍍復。即可在金屬工件上鍍非金屬或金屬，也可在非金屬上鍍金屬或非金屬，甚至可鍍塑料、橡膠、石英、陶瓷等。浙江ITO鍍膜真空鍍膜加工平臺真空鍍膜技術是一種新穎的材料合成與加工的新技術，是表面工程技術領域的重要組成部分。

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；被鍍基體作為陰極，利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應氣體)離化。這種方法的特點是：基板溫升大、繞射性好、附著性好，膜結構及形貌差，若用電子束加熱必須用差壓板；可用于鍍耐腐蝕潤滑機械制品。多陰極型。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠熱電子、陰極發射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，有時需要對基板加熱；可用于鍍精密機械制品、電子器件裝飾品。

真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。熱蒸發主要是三個過程：1.蒸發材料從固態轉化為氣態的過程。2.氣化原子或分子在蒸發源與基底之間的運輸 3.蒸發原子或分子在襯底表面上淀積過程，即是蒸汽凝聚、成核、核生長、形成連續薄膜的過程。真空濺射是徹底的環保制程，一定環保無污染。

磁控濺射由于其優點應用日趨增長,成為工業鍍膜生產中主要的技術之一,相應的濺射技術與也取得了進一步的發展。非平衡磁控濺射改善了沉積室內等離子體的分布,提高了膜層質量;中頻和脈沖磁控濺射可有效避免反應濺射時的遲滯現象,消除靶中毒和打弧問題,提高制備化合物薄膜的穩定性和沉積速率;改進的磁控濺射靶的設計可獲得較高的靶材利用率;高速濺射和自濺射為濺射鍍膜技術開辟了新的應用領域，具有誘人的成膜效率和經濟效益，實驗簡單方便。LPCVD反應的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間。江蘇叉指電極真空鍍膜技術

真空鍍膜的操作規程：工作完畢應斷電、斷水。江蘇叉指電極真空鍍膜技術

針對PVD制備薄膜應力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度，有利于薄膜和襯底間原子擴散，并加速反應過程，有利于形成擴散附著，降低內應力；2.熱退火處理，薄膜中存在的各種缺陷是產生本征應力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向，但需要外界給予活化能。對薄膜進行熱處理，非平衡缺陷大量消失，薄膜內應力降低；3.添加亞層控制多層薄膜應力，利用應變相消原理，在薄膜層之間再沉積一層薄膜，控制工藝使其呈現與結構薄膜相反的應力狀態，緩解應力帶來的破壞作用，整體上抵消內部應力 江蘇叉指電極真空鍍膜技術