電子束曝光實現(xiàn)智慧農(nóng)業(yè)傳感器可持續(xù)制造。基于聚乳酸的可降解電路板通過仿生葉脈布線優(yōu)化結(jié)構(gòu)強度，6個月自然降解率達(dá)98%。多孔微腔濕度傳感單元實現(xiàn)±0.5%RH精度，土壤氮磷鉀濃度檢測限達(dá)0.1ppm。太陽能自供電系統(tǒng)通過分形天線收集環(huán)境電磁能，在無光照條件下續(xù)航90天。萬畝農(nóng)田測試表明該傳感器網(wǎng)絡(luò)減少化肥用量30%，增產(chǎn)15%。電子束曝光推動神經(jīng)界面實現(xiàn)長期穩(wěn)定記錄。聚酰亞胺電極表面的微柱陣列引導(dǎo)神經(jīng)膠質(zhì)細(xì)胞定向生長，形成生物-電子共生界面。離子凝膠電解質(zhì)層消除組織排異反應(yīng)，在8周實驗中信號衰減控制在8%以內(nèi)。多通道神經(jīng)信號處理器整合在線特征提取算法，癲癇發(fā)作預(yù)警準(zhǔn)確率99.3%。該技術(shù)為帕金森病閉環(huán)療愈提供技術(shù)平臺，已在獼猴實驗中實現(xiàn)運動障礙實時調(diào)控。該所微納加工平臺的電子束曝光設(shè)備可實現(xiàn)亞微米級圖形加工。上海光芯片電子束曝光服務(wù)價格

研究所針對電子束曝光在高頻半導(dǎo)體器件互聯(lián)線制備中的應(yīng)用開展研究。高頻器件對互聯(lián)線的尺寸精度與表面粗糙度要求嚴(yán)苛，科研團(tuán)隊通過優(yōu)化電子束曝光的掃描方式，減少線條邊緣的鋸齒效應(yīng)，提升互聯(lián)線的平整度。利用微納加工平臺的精密測量設(shè)備，對制備的互聯(lián)線進(jìn)行線寬與厚度均勻性檢測，結(jié)果顯示優(yōu)化后的工藝使線寬偏差控制在較小范圍，滿足高頻信號傳輸需求。在毫米波器件的研發(fā)中，這種高精度互聯(lián)線有效降低了信號傳輸損耗，為器件高頻性能的提升提供了關(guān)鍵支撐，相關(guān)工藝已納入中試技術(shù)方案。深圳圖形化電子束曝光外協(xié)該所承擔(dān)的省級項目中，電子束曝光用于芯片精細(xì)圖案制作。

圍繞電子束曝光在半導(dǎo)體激光器腔面結(jié)構(gòu)制備中的應(yīng)用，研究所進(jìn)行了專項攻關(guān)。激光器腔面的平整度與垂直度直接影響其出光效率與壽命，科研團(tuán)隊通過控制電子束曝光的劑量分布，在腔面區(qū)域制備高精度掩模，再結(jié)合干法刻蝕工藝實現(xiàn)陡峭的腔面結(jié)構(gòu)。利用光學(xué)測試平臺，對比不同腔面結(jié)構(gòu)的激光器性能，發(fā)現(xiàn)優(yōu)化后的腔面使器件的閾值電流降低，斜率效率有所提升。這項研究充分發(fā)揮了電子束曝光的納米級加工優(yōu)勢，為高性能半導(dǎo)體激光器的制備提供了工藝支持，相關(guān)成果已應(yīng)用于多個研發(fā)項目。

研究所針對電子束曝光在大面積晶圓上的均勻性問題開展研究。由于電子束在掃描過程中可能出現(xiàn)能量衰減，6 英寸晶圓邊緣的圖形質(zhì)量有時會與中心區(qū)域存在差異，科研團(tuán)隊通過分區(qū)校準(zhǔn)曝光劑量的方式，改善了晶圓面內(nèi)的曝光均勻性。利用原子力顯微鏡對晶圓不同區(qū)域的圖形進(jìn)行表征，結(jié)果顯示優(yōu)化后的工藝使邊緣與中心的線寬偏差控制在較小范圍內(nèi)。這項研究提升了電子束曝光技術(shù)在大面積器件制備中的適用性，為第三代半導(dǎo)體中試生產(chǎn)中的批量一致性提供了保障。電子束刻合助力空間太陽能電站實現(xiàn)輕量化高功率陣列。

利用高分辨率透射電鏡觀察，發(fā)現(xiàn)量子點的位置偏差可控制在較小范圍內(nèi)，滿足量子器件的設(shè)計要求。這項研究展示了電子束曝光技術(shù)在量子信息領(lǐng)域的應(yīng)用潛力，為構(gòu)建高精度量子功能結(jié)構(gòu)提供了技術(shù)基礎(chǔ)。圍繞電子束曝光的環(huán)境因素影響，科研團(tuán)隊開展了系統(tǒng)性研究。溫度、濕度等環(huán)境參數(shù)的波動可能影響電子束的穩(wěn)定性與抗蝕劑性能，團(tuán)隊通過在曝光設(shè)備周圍建立恒溫恒濕環(huán)境控制單元，減少了環(huán)境因素對曝光精度的干擾。對比環(huán)境控制前后的圖形制備結(jié)果，發(fā)現(xiàn)線寬偏差的波動范圍縮小了一定比例，圖形的長期穩(wěn)定性得到改善。這些細(xì)節(jié)上的改進(jìn)，體現(xiàn)了研究所對精密制造過程的嚴(yán)格把控，為電子束曝光技術(shù)的可靠應(yīng)用提供了保障。電子束刻合為虛擬現(xiàn)實系統(tǒng)提供高靈敏觸覺傳感器集成方案。珠海AR/VR電子束曝光外協(xié)

電子束曝光為超高靈敏磁探測裝置制備微納超導(dǎo)傳感器件。上海光芯片電子束曝光服務(wù)價格

圍繞電子束曝光在第三代半導(dǎo)體功率器件柵極結(jié)構(gòu)制備中的應(yīng)用，科研團(tuán)隊開展了專項研究。功率器件的柵極尺寸與形狀對其開關(guān)性能影響明顯，團(tuán)隊通過電子束曝光制備不同線寬的柵極圖形，研究尺寸變化對器件閾值電壓與導(dǎo)通電阻的影響。利用電學(xué)測試平臺，對比不同柵極結(jié)構(gòu)的器件性能，優(yōu)化出適合高壓應(yīng)用的柵極尺寸參數(shù)。這些研究成果已應(yīng)用于省級重點科研項目中，為高性能功率器件的研發(fā)提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。科研人員研究了電子束曝光過程中的電荷積累效應(yīng)及其應(yīng)對措施。絕緣性較強的半導(dǎo)體材料在電子束照射下容易積累電荷，導(dǎo)致圖形偏移或畸變，團(tuán)隊通過在曝光區(qū)域附近設(shè)置導(dǎo)電輔助層與接地結(jié)構(gòu)，加速電荷消散。上海光芯片電子束曝光服務(wù)價格