在電子束曝光的三維結構制備研究中，科研團隊探索了灰度曝光技術的應用。灰度曝光通過控制不同區域的電子束劑量，可在抗蝕劑中形成連續變化的高度分布，進而通過刻蝕得到三維微結構。團隊利用該技術在氮化物半導體表面制備了具有漸變折射率的光波導結構，測試結果顯示這種結構能有效降低光傳輸損耗。這項技術突破拓展了電子束曝光在復雜三維器件制備中的應用，為集成光學器件的研發提供了新的工藝選擇。針對電子束曝光在第三代半導體中試中的成本控制問題，科研團隊進行了有益探索。電子束曝光的圖形精度高度依賴劑量調控技術和套刻誤差管理機制。江蘇量子器件電子束曝光外協

圍繞電子束曝光在半導體激光器腔面結構制備中的應用，研究所進行了專項攻關。激光器腔面的平整度與垂直度直接影響其出光效率與壽命，科研團隊通過控制電子束曝光的劑量分布，在腔面區域制備高精度掩模，再結合干法刻蝕工藝實現陡峭的腔面結構。利用光學測試平臺，對比不同腔面結構的激光器性能，發現優化后的腔面使器件的閾值電流降低，斜率效率有所提升。這項研究充分發揮了電子束曝光的納米級加工優勢，為高性能半導體激光器的制備提供了工藝支持，相關成果已應用于多個研發項目。山西納米器件電子束曝光工藝電子束曝光在固態電池領域優化電解質/電極界面離子傳輸效率。

研究所利用多平臺協同優勢，研究電子束曝光圖形在后續工藝中的轉移完整性。電子束曝光形成的抗蝕劑圖形需要通過刻蝕工藝轉移到半導體材料中，團隊將曝光系統與電感耦合等離子體刻蝕設備結合，研究不同刻蝕氣體比例對圖形轉移精度的影響。通過材料分析平臺的掃描電鏡觀察，發現曝光圖形的線寬偏差會在刻蝕過程中產生一定程度的放大，據此建立了曝光線寬與刻蝕結果的校正模型。這項研究為從設計圖形到器件結構的精細轉化提供了技術支撐，提高了器件制備的可預測性。

電子束曝光重塑人工視覺極限，仿生像素陣列模擬視網膜感光細胞分布。脈沖編碼機制實現動態范圍160dB，強光弱光場景無損成像。神經形態處理內核每秒處理100億次突觸事件，動態目標追蹤延遲只有0.5毫秒。在盲人視覺重建臨床實驗中，植入芯片成功恢復0.3以上視力，識別親友面孔準確率95.7%。電子束曝光突破芯片散熱瓶頸，在微流道系統構建湍流增效結構。仿鯊魚鱗片肋條設計增強流體擾動，換熱系數較傳統提高30倍。相變微膠囊冷卻液實現汽化潛熱高效利用，1000W/cm2熱密度下芯片溫差＜10℃。在英偉達H100超算模組中，散熱能耗占比降至5%，計算性能釋放99%。模塊化集成支持液冷系統體積減少80%，重塑數據中心能效標準。電子束刻蝕助力拓撲量子材料異質結構建與性能優化。

電子束曝光推動再生醫學跨越式發展，在生物支架構建人工血管網。梯度孔徑設計模擬真實血管分叉結構，促血管內皮細胞定向生長。在3D打印兔骨缺損模型中，兩周實現血管網絡重建，骨愈合速度加快兩倍。智能藥物緩釋單元實現生長因子精確投遞，為再造提供技術平臺。電子束曝光實現磁場探測靈敏度，為超導量子干涉器設計納米線圈。原子級平整約瑟夫森結界面保障磁通量子高效隧穿，腦磁圖分辨率達0.01pT。在帕金森病研究中實現黑質區異常放電毫秒級追蹤，神經外科手術導航精度提升至50微米。移動式檢測頭盔突破傳統設備限制，癲癇病灶定位準確率99.6%。電子束曝光是制備超導量子比特器件的關鍵工藝，能精確控制約瑟夫森結尺寸以提高量子相干性。安徽高分辨電子束曝光外協

電子束曝光提升熱電制冷器界面傳輸效率與可靠性。江蘇量子器件電子束曝光外協

電子束曝光解決微型燃料電池質子傳導效率難題。石墨烯質子交換膜表面設計螺旋微肋條通道，降低質傳阻力同時增強水管理能力。納米錐陣列催化劑載體使鉑原子利用率達80%，較商業產品提升5倍。在5cm2微型電堆中實現2W/cm2功率密度，支持無人機持續飛行120分鐘。自呼吸雙極板結構通過多孔層梯度設計，消除水淹與膜干問題，系統壽命超5000小時。電子束曝光推動拓撲量子計算邁入實用階段。在InAs納米線表面構造馬約拉納零模定位陣列，超導鋁層覆蓋精度達單原子層。對稱性保護機制使量子比特退相干時間突破毫秒級，在5×5量子點陣列實驗中實現容錯邏輯門操作。該技術將加速拓撲量子計算機工程化，為復雜分子模擬提供硬件平臺。江蘇量子器件電子束曝光外協