真空鍍膜技術屬于表面處理技術的一類,應用非常廣。主要應用有一下幾類:光學膜:用于CCD、CMOS中的各種濾波片,高反鏡。功能膜:用于制造電阻、電容,半導體薄膜,刀具鍍膜,車燈,車燈罩,激光,太陽能等。裝飾膜:手機/家電裝飾鍍膜,汽車標牌,化妝品盒蓋,建筑裝飾玻璃、汽車玻璃,包裝袋。真空鍍膜對真空的要求非常嚴格,根據不同的真控制可以劃分為低真空(1至1E-5Torr),中真空(1E-5至1E-6Torr),高真空(1E-6至1E-8Torr),超高真空(低于1E-9Torr),針對不同的真空有多種測量方式,電容膜片(CDG)、導熱(Piriani)、熱陰極電離(HCIG)、粘度(自旋轉子)等。鍍膜層能有效隔絕環境中的有害物質。陽江真空鍍膜

目前認為濺射現象是彈性碰撞的直接結果,濺射完全是動能的交換過程。當正離子轟擊陰極靶,入射離子撞擊靶表面上的原子時,產生彈性碰撞,它直接將其動能傳遞給靶表面上的某個原子或分子,該表面原子獲得動能再向靶內部原子傳遞,經過一系列的級聯碰撞過程,當其中某一個原子或分子獲得指向靶表面外的動量,并且具有了克服表面勢壘(結合能)的能量,它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛,逸出靶面而成為濺射原子。ITO薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn合金靶、In2O3-SnO2陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO薄膜時,由于濺射過程中作為反應氣體的氧會和靶發生很強的電化學反應,靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區域縮得很小(俗稱“靶中毒”),以至很難用直流濺射的方法穩定地制備出高質的ITO膜。陶瓷靶因能抑制濺射過程中氧的選擇性濺射,能穩定地將金屬銦和錫與氧的反應物按所需的化學配比穩定地成膜,故無中毒現象,工藝窗口寬,穩定性好。PECVD真空鍍膜加工廠真空鍍膜設備需定期進行維護保養。

LPCVD設備中較新的是垂直式LPCVD設備,因為其具有結構緊湊、氣體分布均勻、薄膜厚度一致、顆粒污染少等優點。垂直式LPCVD設備可以根據不同的氣體流動方式進行分類。常見的分類有以下幾種:(1)層流式垂直LPCVD設備,是指氣體從反應室下方進入,沿著垂直方向平行流動,從反應室上方排出;(2)湍流式垂直LPCVD設備,是指氣體從反應室下方進入,沿著垂直方向紊亂流動,從反應室上方排出;(3)對流式垂直LPCVD設備,是指氣體從反應室下方進入,沿著垂直方向循環流動,從反應室下方排出。
對于PECVD如果成膜質量差,則主要由一下幾項因素造成:1.樣片表面清潔度差,檢查樣品表面是否清潔。2.工藝腔體清潔度差,清洗工藝腔體。3.樣品溫度異常,檢查溫控系統是否正常,校準測溫熱電偶。4.膜淀積過程中壓力異常,檢查腔體真空系統漏率。5.射頻功率設置不合理,檢查射頻電源,調整設置功率。影響PECVD工藝質量的因素主要有以下幾個方面:1.起輝電壓:間距的選擇應使起輝電壓盡量低,以降低等離子電位,減少對襯底的損傷。2.極板間距和腔體氣壓:極板間距較大時,對襯底的損傷較小,但間距不宜過大,否則會加重電場的邊緣效應,影響淀積的均勻性。反應腔體的尺寸可以增加生產率,但是也會對厚度的均勻性產生影響。3.射頻電源的工作頻率,射頻PECVD通常采用50kHz~13.56MHz頻段射頻電源,頻率高,等離子體中離子的轟擊作用強,淀積的薄膜更加致密,但對襯底的損傷也比較大。真空鍍膜過程中需避免鍍膜材料污染。

LPCVD技術在光電子領域也有著廣泛的應用,主要用于沉積硅基光波導、光諧振器、光調制器等器件所需的高折射率和低損耗的材料。由于光電子器件對薄膜質量和性能的要求非常高,LPCVD技術具有很大的優勢,例如可以實現高純度、低缺陷密度、低氫含量和低應力等特點。未來,LPCVD技術將繼續在光電子領域發揮重要作用,為實現硅基光電集成提供可靠的技術支持。LPCVD技術在MEMS領域也有著重要的應用,主要用于沉積多晶硅、氮化硅等材料,作為MEMS器件的結構層。由于MEMS器件具有微納米尺度的特點,對薄膜厚度和均勻性的控制非常嚴格,而LPCVD技術可以實現高精度和高均勻性的沉積。此外,LPCVD技術還可以通過摻雜或應力調節來改變薄膜的導電性或機械性能。因此,LPCVD技術在MEMS領域有著廣闊的發展空間,為實現各種功能和應用的MEMS器件提供多樣化的選擇。真空鍍膜技術為產品帶來獨特的功能性。PECVD真空鍍膜加工廠
鍍膜技術可用于提升產品的抗老化性能。陽江真空鍍膜
LPCVD設備中常用的是水平式LPCVD設備,因為其具有結構簡單、操作方便、沉積速率高、產能大等優點。水平式LPCVD設備可以根據不同的加熱方式進行分類。常見的分類有以下幾種:(1)電阻絲加熱式LPCVD設備,是指使用電阻絲作為加熱元件,將電阻絲纏繞在反應室外壁或內壁上,通過電流加熱反應室和襯底;(2)鹵素燈加熱式LPCVD設備,是指使用鹵素燈作為加熱元件,將鹵素燈安裝在反應室外壁或內壁上,通過輻射加熱反應室和襯底;(3)感應加熱式LPCVD設備,是指使用感應線圈作為加熱元件,將感應線圈圍繞在反應室外壁或內壁上,通過電磁感應加熱反應室和襯底。陽江真空鍍膜