在等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中，由等離子體輔助化學反應過程。在等離子體輔助下，200 到500°C的工藝溫度足以實現成品膜層的制備，因此該技術降低了基材的溫度負荷。等離子可在接近基片的周圍被激發(近程等離子法)。而對于半導體硅片等敏感型基材，輻射和離子轟擊可能損壞基材。另一方面，在遠程等離子法中，等離子體與基材間設有空間隔斷。隔斷不僅能夠保護基材，也允許激發混合工藝氣體的特定成分。然而，為保證化學反應在被激發的粒子真正抵達基材表面時才開始進行，需精心設計工藝過程。在真空鍍膜機運轉正常情況下，開動真空鍍膜機時，必須先開水管，工作中應隨時注意水壓。肇慶真空鍍膜廠家

利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優點：1.均勻性和重復性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應用范圍廣，設備簡單，易于產業化。評價氧化硅薄膜的質量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量，沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質量比較差。江門真空鍍膜工藝流程真空鍍膜中制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理的氣相沉積方法。

PECVD系統的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，這些鋼瓶被放置在有許多安全保護裝置的氣柜中，通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時，反應氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等，因此需要嚴格控制氣體流量，通常采用質量流量計來實現精確控制。PECVD反應過程中，反應氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至襯底表面，在射頻源激發的電場作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。分解物發生化學反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續生長成連續的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。

電子束蒸發蒸鍍如鎢(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，需要在坩堝的結構上做一定的改進，以提高鍍膜的效率。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導熱過快，材料難以達到其蒸發的溫度。經過實驗的驗證，蒸發高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過坩堝邊沿來導熱，散熱速率慢，有利于達到材料蒸發的熔點。經驗證，采用此種方式鍍膜，薄膜均勻性良好，采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發并凝結于鍍件表面而形成薄膜的一種方法。

真空鍍膜：可鍍材料普遍：離子鍍由于是利用高能離子轟擊工件表面，使大量的電能在工件表面轉換成熱能，從而促進了表層組織的擴散作用和化學反應。然而，整個工件，特別是工件心部并未受到高溫的影響。因此這種鍍膜工藝的應用范圍較廣，受到的局限性則較小。通常，各種金屬、合金以及某些合成材料、絕緣材料、熱敏材料和高熔點材料等均可鍍復。即可在金屬工件上鍍非金屬或金屬，也可在非金屬上鍍金屬或非金屬，甚至可鍍塑料、橡膠、石英、陶瓷等。真空鍍膜中離子鍍的鍍層無氣泡。新型真空鍍膜技術

真空鍍膜技術有化學氣相沉積鍍膜。肇慶真空鍍膜廠家

常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理法氣相沉積（PVD），PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發鍍膜、熱阻蒸發等。另一種是化學法氣相沉積（CVD），主要有常壓CVD、LPCVD（低壓沉積法）、PECVD（等離子體增強沉積法）等方法。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學清洗（材料進行有機清洗和無機清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應氣體）。肇慶真空鍍膜廠家