電子束蒸發鍍膜技術是一種制備高純物質薄膜的主要方法，在電子束加熱裝置中，被加熱的物質被放置于水冷的坩堝中電子束只轟擊到其中很少的一部分物質，而其余的大部分物質在坩堝的冷卻作用下一直處于很低的溫度，即后者實際上變成了被蒸發物質的坩堝。因此，電子束蒸發沉積方法可以做到避免坩堝材料的污染。在同一蒸發沉積裝置中可以安置多個坩堝，這使得人們可以同時或分別蒸發和沉積多種不同的物質。現今主流的電子束蒸發設備中對鍍膜質量起關鍵作用的是電子槍和離子源。在建筑和汽車玻璃上使用真空電鍍設備技術，鍍涂一層TiO2就能使其變成防霧、防露和自清潔玻璃。重慶UV光固化真空鍍膜

真空鍍膜：眾所周知，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學性能。20世紀70年代，在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學鍍法。前者是通過通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件，基體必須是電的良導體，而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學還原法，必須把膜材配制成溶液，并能迅速參加還原反應，這種鍍膜方法不僅薄膜的結合強度差，而且鍍膜既不均勻也不易控制，同時還會產生大量的廢液，造成嚴重的污染。因此，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。小家電真空鍍膜技術真空鍍膜中離子鍍的鍍層厚度均勻。

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：射頻離子鍍(RFIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體、反應氣體氧氣、氮氣、乙炔等離化。這種方法的特點是：基板溫升小，不純氣體少，成膜好，適合鍍化合物膜，但匹配較困難。可應用于鍍光學器件、半導體器件、裝飾品、汽車零件等。此外，離子鍍法還包括有低壓等離子體離子鍍，感應離子加熱鍍，集團離子束鍍和多弧離子鍍等多種方法。

真空鍍膜：離子鍍膜法：離子鍍膜技術是在真空條件下，應用氣體放電實現鍍膜的，即在真空室中使氣體或蒸發物質電離，在氣體離子或被蒸發物質離子的轟擊下、同時將蒸發物或其反應產物蒸鍍在基片上。根據不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、高頻感應加熱、陰極弧光放電加熱等。氣體分子或原子的離化和啟動方式有：輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型，以及各種形式的離子源等。不同的蒸發源與不同的電離或激發方式可以有多種不同的組合。目前比較常用的組合方式有：真空鍍膜中離子鍍的鍍層組織致密、無小孔、無氣泡、厚度均勻。

電子束蒸發蒸鍍如鎢(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，跟常規金屬蒸鍍，蒸鍍方式需有所蓋上。根據之前的鍍膜經驗，需要在坩堝的結構上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導熱過快，材料難以達到其蒸發的溫度。經過實驗的驗證，蒸發高熔點的材料可以采用材料薄片來蒸鍍，如將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，材料只能通過坩堝邊沿來導熱，減緩散熱速率，有利于達到蒸發的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。離子鍍是真空鍍膜技術的一種。重慶UV光固化真空鍍膜

真空鍍膜是在真空室內材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。重慶UV光固化真空鍍膜

ALD是一種薄膜形成方法，其中將多種氣相原料（前體）交替暴露于基板表面以形成膜。與CVD不同，不同類型的前驅物不會同時進入反應室，而是作為單獨的步驟引入（脈沖）和排出（吹掃）。在每個脈沖中，前體分子在基材表面上以自控方式起作用，并且當表面上不存在可吸附位時，反應結束。因此，一個周期中的產品成膜量由前體分子和基板表面分子如何化學鍵合來定義。因此，通過控制循環次數，可以在具有任意結構和尺寸的基板上形成高精度且均勻的膜。重慶UV光固化真空鍍膜