基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細結構，受光學衍射的極限，適用于微米以上尺度的微細結構制作，部分優化的光刻工藝可能具有亞微米的加工能力。例如，接觸式光刻的分辨率可能到達0.5μm，采用深紫外曝光光源可能實現0.1μm。但利用這種光刻技術實現宏觀面積的納米/亞微米圖形結構的制作是可欲而不可求的。近年來，國內外很多學者相繼提出了超衍射極限光刻技術、周期減小光刻技術等，力求通過曝光光刻技術實現大面積的亞微米結構制作，但這類新型的光刻技術尚處于實驗室研究階段。微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件系統集成與應用技術。泰州微納加工工藝流程

    激光微納加工相比納秒激光器、連續激光器，飛秒激光加工是“冷加工”，其加工過程中幾近不會有熱：傳導。飛秒激光加工優勢在于：峰值能量高、加工精度高、對材料幾乎無熱損傷等，其具體加工方式包括：蝕刻、改性、切割、打孔、周雕刻以及集成電路光刻等。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造高級的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業人才隊伍。平臺當前緊抓技術創新和公共服務，面向國內外高校、科研院所以及企業提供開放共享，為技術咨詢、創新研發、技術驗證以及產品中試提供技術支持。 開封微納加工器件微納加工包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測量等!

        微納加工是指制造特征尺寸以納米為單位的結構，尤其是側面小于20納米的結構。目前的技術大多只允許在二維意義上進行微納加工。納加工通常用于制造計算機芯片，傳統的光刻技術是計算機行業的支柱，可用于創建尺寸小于22m的特征，雖然這是非常昂貴的，而目且目前還不被認為是經濟有效的。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造高級的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業人才隊伍。平臺當前緊抓技術創新和公共服務，面向國內外高校、科研院所以及企業提供開放共享，為技術咨詢、創新研發、技術驗證以及產品中試提供技術支持。

    光刻是半導體制造中常用的技術之一，是現代光電子器件制造的基礎。實際應用中存在兩個主要挑戰：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高；二是由于直接的激光寫入器逐點生成圖案，因此吞吐量是一個很大的挑戰。對于上述兩個挑戰：分辨率方面，一是可以通過原子力顯微鏡（AFM）或掃描近場顯微鏡（SNOM）等近場技術來提高，二是可以通過使用短波長光源來提高，三是可以通過非線性吸收實現超分辨率成像或制造；制造速度方面，除了工程學方法外，隨著激光技術的發展，主要是提出了包括自組裝微球激光加工、激光干涉光刻、多焦陣列激光直寫等并行激光加工方法來提高制造速度。并行激光加工技術可以將二維加工技術擴展到三維加工，為未來微納加工技術的發展提供新的方向；同時可以地廣泛應用于傳感、太陽能電池和超材料領域的表面處理和功能器件制造，對生物醫學器件制造、光通信、傳感、以及光譜學等領域得發展研究具有重要意義。 高精度的微細結構通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光！

    微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝。在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發沉積（熱蒸發、電子束蒸發）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結合的混合方法，CVD和PECVD用于生長氮化硅、氧化硅等介質膜。真空蒸鍍，簡稱蒸鍍，是指在真空條件下，采用一定的加熱蒸發方式蒸發鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法。蒸鍍是使用較早、用途較廣的氣相沉積技術，具有成膜方法簡單、薄膜純度和致密性高、膜結構和性能獨特等優點。 在我國，微納制造技術同樣是重點發展方向之一。福建微納加工設備

微納加工技術的特點：多樣化。泰州微納加工工藝流程

電子束光刻技術是利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影復印圖形的技術.電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物，經過電子束掃描過的電子抗蝕劑發生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發生化學性質改變。經過顯影和定影，獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形。電子束光刻技術的主要工藝過程為涂膠、前烘、電子束曝光、顯影和堅膜。現代的電子束光刻設備已經能夠制作小于10nm的精細線條結構。電子束光刻設備也是制作光學掩膜版的重要工具。影響曝光精度的內部工藝因素主要取決于電子束斑尺寸、掃描步長、電子束流劑量和電子散射引起的鄰近效應。泰州微納加工工藝流程

廣東省科學院半導體研究所屬于電子元器件的高新企業，技術力量雄厚。廣東省半導體所是一家****企業，一直“以人為本，服務于社會”的經營理念;“誠守信譽，持續發展”的質量方針。公司業務涵蓋微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務，價格合理，品質有保證，深受廣大客戶的歡迎。廣東省半導體所順應時代發展和市場需求，通過**技術，力圖保證高規格高質量的微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務。