雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。研究所生產的DC系列的數字型熱式氣體流量控制器在該設備中使用，產品采用全數字架構，新型的傳感制作工藝，通訊方式兼容：0-5V、4-20mA、RS485通訊模式，一鍵切換通訊信號，操作簡單方便。雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設備。它可用于在高真空背景下，充入高純氬氣，采用磁控濺射方式制備各種金屬膜、介質膜、半導體膜，而且又可以較好地濺射鐵磁材料（Fe、Co、Ni），制備磁性薄膜。在鍍膜工藝條件下，采用微機控制樣品轉盤和靶擋板，既可以制備單層膜，又可以制備各種多層膜，為新材料和薄膜科學研究領域提供了十分理想的研制手段。雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設備。海南射頻磁控濺射

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替傳統直流電源進行磁控濺射沉積。脈沖濺射可以有效地抑制電弧產生進而消除由此產生的薄膜缺陷，同時可以提高濺射沉積速率，降低沉積溫度等一系列明顯的優點，是濺射絕緣材料沉積的首先選擇的工藝過程。高功率脈沖磁控濺射技術作為一種高離化率物理中氣相沉積技術，可以明顯提高薄膜結構可控性，進而獲得優異的薄膜性能，對薄膜工業的發展有重要意義。近幾年來，高功率脈沖磁控濺射技術在國內外研究領域和工業界受到了普遍關注和重視。深圳雙靶磁控濺射優點磁控濺射靶的非平衡磁場不只有通過改變內外磁體的大小和強度的永磁體獲得，也有由兩組電磁線圈產生。

特殊濺射沉積技術：以上面幾種做基礎，為達到某些特殊目的而產生的濺射技術。1、反應濺射：可分為兩類，第一種情況是靶為純金屬、合金或混合物，通入的氣體是反應氣體，或Ar加上一部分反應氣體；第二種情況是靶為化合物，在純氬氣氣氛中濺射產生分解，使膜內缺少一種或多種靶成分，在濺射時需要補充反應氣體以補償損失的成分。常用的反應氣體有氧、氮、氧+氮、乙炔、甲烷等。1）反應過程，反應發生在表面--靶或基體上，活性氣體也可以形成活性基團，濺射原子與活性基團碰撞也會形成化合物沉積在基體上。當通入的反應氣體壓強很低，或靶的濺射產額很高時化合物的合成發生在基體上，而且化合物的成分取決于濺射粒子和反應氣體到達基體的相對速度，這種條件下，靶面的化學反應消失或者是化合物分解的速度遠大于合成的速度；當氣體壓強繼續升高，或濺射產額降低時化合反應達到某個域值，此后在靶上的化學合成速度大于逸出速度，認為化合物在靶面進行。

特殊濺射沉積技術：反應濺射參數與生成物性能的關系：在純Ar狀態下濺射沉積的時純鋁膜，當氮氣被引入真空室后，靶面發生變化，隨氮氣的量不斷上升，填充因子下降，膜內AlN含量上升，膜的介質性提高，方塊電阻增加，當氮氣達到某一值時，沉積膜就是純的AlN。同時電流不變的條件下，電壓下降，沉積速率降低。根據膜的導電性的高低可定性的將反應濺射過程分為兩種模式--金屬模式和化合物模式，介乎兩者之間是過渡區。一般認為膜的方塊電阻在1000之下是金屬模式，大于幾M為化合物模式。由于反應氣體量的增加，靶面上會形成一層化合物，薄膜成分變化的同時沉積速率下降當氣體量按原來增加量減少時，放電曲線及沉積速率都出現滯后現象。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設備。

磁控濺射設備原子的能量比蒸發原子的能量大許多倍;入射離子的能量很低時，濺射原子角散布就不完全符合余弦散布規律。角散布還與入射離子方向有關。從單晶靶濺射出來的原子趨向于集中在晶體密度大的方向,因為電子的質量很小，所以即便運用具有高能量的電子炮擊靶材也不會發生濺射現象。因為濺射是一個雜亂的物理進程，涉及的因素許多，長期以來關于濺射機理雖然進行了許多的研究，提出過許多的理論，但都難以完善地解說濺射現象。廣東省科學院半導體研究所。直流濺射方法用于被濺射材料為導電材料的濺射和反應濺射鍍膜中，其工藝設備簡單，有較高的濺射速率。山東單靶磁控濺射用途

向脈沖更多地用于雙靶閉合式非平衡磁控濺射系統，系統中的兩個磁控靶連接在同一脈沖電源上。海南射頻磁控濺射

磁控濺射是由二極濺射基礎上發展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題，成為鍍膜工業主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術相比具有如下特點：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質與氣體分子的化合物薄膜；通過精確地控制濺射鍍膜過程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過離子濺射靶材料物質由固態直接轉變為等離子態，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設計；濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點，很適合于大批量，高效率工業生產。海南射頻磁控濺射

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