基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細結構，受光學衍射的極限，適用于微米以上尺度的微細結構制作，部分優化的光刻工藝可能具有亞微米的加工能力。例如，接觸式光刻的分辨率可能到達0.5μm，采用深紫外曝光光源可能實現0.1μm。但利用這種光刻技術實現宏觀面積的納米/亞微米圖形結構的制作是可欲而不可求的。近年來，國內外很多學者相繼提出了超衍射極限光刻技術、周期減小光刻技術等，力求通過曝光光刻技術實現大面積的亞微米結構制作，但這類新型的光刻技術尚處于實驗室研究階段。微納加工涉及領域廣、多學科交叉融合，其較主要的發展方向是微納器件與系統（MEMS）！佛山刻蝕微納加工

    激光微納加工技術的實現方式：接觸式并行激光加工技術是指利用微球體顆粒進行激光圖案化。微球激光納米加工的機理。微球激光納米加工技術初源于對激光清潔領域的研究。研究發現，基底上的微小球形顆粒在脈沖激光照射后，基底上球形顆粒的中心位置能夠產生亞波長尺寸的微/納孔。對于金屬顆粒而言，這是由于顆粒與基底之間的LSPR產生的強電磁場增強造成的；對于介質顆粒而言，由于其大半部分是透明的，可以將透明顆粒看成為微球透鏡，入射光在微球形透鏡的底面實現聚焦而引起的電磁場增強。這一過程可以實現入射光強度的60倍增強。通過對微球的直徑，折射率，環境以及入射的激光強度進行設計，可以實現在基底上燒蝕出亞波長尺寸的微/納孔。微球激光納米加工的實現方式對于微球激光納米加工技術，根據操縱微球顆粒排列方式的不同，可以分為兩類：一是利用光鑷技術操縱微球體顆粒以制造任意圖案；二是利用自組裝技術制造微球體陣列掩模。這種基于微球體的并行激光加工是納米制造中一種比較經濟的方法。 山東微納加工工藝在硅材料刻蝕當中，硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕！

         微納加工技術也可分為機械加工、化學腐蝕、能量束加工、復合加工、隧道掃描顯微技術加工等方法。機械加工方法包括單晶金剛石刀具的超精密切割、金剛石砂輪和CBN砂輪的超精密磨削和鏡面磨削、磨削、砂帶拋光等固定磨料工具的加工、磨削、拋光等自由磨料的加工。能束加工可以去除加工對象、添加和表面改性。例如，激光切割、鉆孔和表面硬化改性。光刻、焊接、微米和納米鉆孔、切割、離子和等離子體蝕刻等。能量束的加工方法還包括電火花加工、電化學加工、電解射流加工、分子束延伸等。微納加工是的技術，可以進行原子級操作和原子去除、添加和搬遷。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業人才隊伍。平臺當前緊抓技術創新和公共服務，面向國內外高校、科研院所以及企業提供開放共享，為技術咨詢、創新研發、技術驗證以及產品中試提供技術支持。

電子束光刻技術是利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影復印圖形的技術.電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物，經過電子束掃描過的電子抗蝕劑發生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發生化學性質改變。經過顯影和定影，獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形。電子束光刻技術的主要工藝過程為涂膠、前烘、電子束曝光、顯影和堅膜。現代的電子束光刻設備已經能夠制作小于10nm的精細線條結構。電子束光刻設備也是制作光學掩膜版的重要工具。影響曝光精度的內部工藝因素主要取決于電子束斑尺寸、掃描步長、電子束流劑量和電子散射引起的鄰近效應。高精度的微細結構通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光。

電子束的能量越高，束斑的直徑就越小，比如10keV的電子束斑直徑為4nm，20keV時就減小到2nm。電子束的掃描步長由束斑直徑所限制。步長過大，不能實現緊密地平面束掃描;步長過小，電子束掃描區域會受到過多的電子散射作用。電子束流劑量由電子束電流強度和駐留時間所決定。電子束流劑量過小，抗蝕劑不能完全感光;電子束流劑量過大，圖形邊緣的抗蝕劑會受到過多的電子散射作用。由于高能量的電子波長要比光波長短成百上千倍，因此限制分辨率的不是電子的衍射，而是各種電子像散和電子在抗蝕劑中的散射。電子散射會使圖形邊緣內側的電子能量和劑量降低，產生內鄰近效應;同時散射的電子會使圖形邊緣外側的抗蝕劑感光，產生外鄰近效應。內鄰近效應使垂直的圖形拐角圓弧化，而外鄰近效應使相鄰的圖形邊緣趨近和模糊。微納制造技術屬國際前沿技術，作為未來制造業賴以生存的基礎和可持續發展的關鍵。河北微納加工廠商

機械微加工是微納制造中較方便，也較接近傳統材料加工方式的微成型技術！佛山刻蝕微納加工

      在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發沉積（熱蒸發、電子束蒸發）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結合的混合方法，CVD和PECVD主要用于生長氮化硅、氧化硅等介質膜。佛山刻蝕微納加工

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