石油勘探井下的絕緣加工件，需抵抗超高壓與強酸堿腐蝕，選用聚醚砜（PES）與碳化鎢顆粒復合注塑成型。在原料中添加 30% 碳化鎢（粒徑 5μm），通過雙螺桿擠出機（溫度 360℃，轉速 300rpm）實現均勻分散，制得抗壓強度≥200MPa 的絕緣件。加工時采用高壓注塑工藝（注射壓力 180MPa），使制品孔隙率≤0.05%，配合電火花加工制作深徑比 10:1 的密封槽，槽底圓角半徑≤0.1mm。成品在 150℃、150MPa 井下壓力環境中，耐 20% 鹽酸溶液腐蝕 1000 小時后，質量損失率≤0.5%，且絕緣電阻≥1012Ω，確保隨鉆測井儀器在復雜工況下的信號傳輸穩定。選用耐候性絕緣材料的加工件，可在戶外惡劣環境中可靠工作。高精度絕緣加工件快速打樣

半導體封裝用注塑加工件，需達到 Class 10 級潔凈標準，選用環烯烴共聚物（COC）與氣相二氧化硅復合注塑。將 5% 疏水型二氧化硅（比表面積 300m2/g）混入 COC 粒子，通過真空干燥（溫度 80℃，時間 24h）去除水分，再經熱流道注塑（模具溫度 120℃，注射壓力 150MPa）成型，制得粒子析出量≤0.1 個 /ft2 的封裝載體。加工時采用激光微雕技術，在 0.2mm 厚薄膜上雕刻出精度 ±2μm 的導電路徑槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.1μm，避免金屬化過程中產生毛刺。成品在 150℃真空環境中放氣率≤1×10??Pa?m3/s，且通過 1000 次熱循環（-40℃~125℃）測試，翹曲量≤50μm，滿足高級芯片封裝的高精度與低污染要求。高精度絕緣加工件快速打樣注塑加工件的加強肋分布均勻，有效提升抗彎曲變形能力。

半導體晶圓傳輸注塑加工件采用靜電耗散型 POM（聚甲醛）與碳納米管復合注塑。添加 5% 碳納米管（直徑 10nm）通過雙螺桿擠出（溫度 200℃，轉速 300rpm）實現均勻分散，使表面電阻穩定在 10?-10?Ω，摩擦起電量≤0.1μC。加工時運用微注塑技術，在 1mm 厚載具上成型精度 ±3μm 的 V 型槽，槽面經等離子體刻蝕（功率 150W，時間 60s）后粗糙度 Ra≤0.05μm，避免晶圓劃傷。成品在 Class 10 潔凈室環境中，粒子脫落量≤0.05 個 / 小時，且通過 1000 次晶圓傳輸循環測試，接觸電阻波動≤3mΩ，滿足 12 英寸晶圓的高精度、低靜電傳輸要求。

柔性電子設備的注塑加工件，需實現高彈性與導電功能集成，采用熱塑性彈性體（TPE）與碳納米管（CNT）復合注塑。將 8% 碳納米管（純度≥99.5%）通過熔融共混（溫度 180℃，轉速 400rpm）分散至 TPE 基體，制得體積電阻率 102Ω?cm 的導電彈性體，斷裂伸長率≥500%。加工時運用多材料共注塑技術，內層注塑導電 TPE 作為天線載體（厚度 0.3mm），外層包覆絕緣 TPE（硬度 50 Shore A），界面結合強度≥10N/cm。成品在 1000 次彎曲循環（曲率半徑 5mm）后，導電層電阻波動≤15%，且在 - 20℃~80℃溫度范圍內保持彈性，滿足可穿戴設備的柔性電路與絕緣防護需求。精密加工的絕緣件尺寸一致性好，批量生產時質量穩定可靠。

核工業乏燃料處理的絕緣加工件，需耐受強輻射與核廢料腐蝕，選用玄武巖纖維增強鎂橄欖石陶瓷。通過熱壓燒結工藝（溫度 1200℃，壓力 30MPa）制備，使材料耐輻射劑量達 102?n/cm2，在硝酸（濃度 8mol/L）中浸泡 30 天后，質量損失率≤1%。加工時采用超聲振動切削技術，在 10mm 厚板材上加工 0.3mm 寬的微流道，表面粗糙度 Ra≤1.6μm，避免放射性廢液殘留。成品在乏燃料后處理池中，可承受 100℃高溫與 0.1MPa 流體壓力，體積電阻率維持在 1011Ω?cm 以上，同時通過 10 年長期輻照測試，力學性能保留率≥85%，為核廢料分離設備提供安全絕緣保障。注塑加工件的定位柱高度公差 ±0.1mm，確保多部件裝配同軸度。杭州 IATF16949加工件設計

這款絕緣件的介電常數穩定，在不同頻率下電氣性能保持一致。高精度絕緣加工件快速打樣

光伏逆變器散熱注塑加工件，采用聚碳酸酯（PC）與納米氮化鋁（AlN）復合注塑。將 40% AlN 填料（粒徑 2μm）與 PC 粒子在往復式螺桿擠出機（溫度 280℃，轉速 300rpm）中混煉，制得熱導率 2.5W/(m?K) 的散熱片材料。加工時運用模內冷卻技術（模具內置微通道，冷卻液溫度 20℃），在 0.5mm 薄壁上成型高度 10mm 的散熱齒，齒間距精度 ±0.1mm。成品經 85℃、85% RH 濕熱測試 1000 小時后，熱導率下降率≤5%，且在 100℃高溫下拉伸強度≥60MPa，滿足逆變器功率器件的高效散熱與絕緣需求。高精度絕緣加工件快速打樣