半導體刻蝕腔體注塑加工件采用全氟烷氧基樹脂（PFA）與二硫化鉬納米管復合注塑，添加 3% 二硫化鉬納米管（直徑 20nm，長度 1μm）通過超臨界流體混合（CO?壓力 10MPa，溫度 80℃）均勻分散，使材料表面摩擦系數降至 0.08，抗等離子體刻蝕速率≤0.05μm/h。加工時運用精密擠出成型（溫度 380℃，口模溫度 360℃），在 0.5mm 薄壁部件上成型精度 ±5μm 的氣流槽，槽面經電子束拋光后粗糙度 Ra≤0.02μm，減少刻蝕產物沉積。成品在 CF?/O?等離子體環境（功率 1000W，氣壓 10Pa）中使用 1000 小時后，表面腐蝕量≤0.1μm，且顆粒脫落量≤0.01 個 / 片，滿足高級半導體刻蝕設備的高純度與長壽命需求。絕緣加工件的材料選用耐電弧型，減少高壓下的電弧腐蝕問題。一體加工件ODM/OEM代工

半導體制造設備中的絕緣加工件，需達到 Class 100 級潔凈標準，通常選用聚醚醚酮（PEEK）材料。采用激光切割工藝進行加工，切口熱影響區≤50μm，避免傳統機械加工產生的微塵污染，切割后表面經超純水超聲清洗（電阻率≥18MΩ?cm），粒子殘留量≤0.1 個 /ft2。制成的晶圓載具絕緣件，在 150℃真空環境中放氣率≤1×10??Pa?m3/s，且摩擦系數≤0.15，防止晶圓傳輸過程中產生靜電吸附，同時通過 1000 次插拔循環測試，接觸電阻波動≤5mΩ，確保半導體生產的高可靠性。?杭州出口級加工件定制加工這款絕緣件具有抗腐蝕特性，在酸堿環境中仍能保持良好絕緣性。

礦用隔爆型電氣設備的絕緣加工件，必須滿足 MT/T 661 - 2011 標準要求，選用耐瓦斯腐蝕的三聚氰胺甲醛樹脂材料。加工時采用模壓成型工藝，在 170℃、18MPa 壓力下保壓 120 分鐘，使工件密度達到 1.5 - 1.6g/cm3，吸水率≤0.1%。成品需通過 1.5 倍額定電壓的工頻耐壓測試（持續 1 分鐘無擊穿），同時承受 50J 能量的沖擊試驗不破裂，其表面電阻值≤1×10?Ω，防止摩擦產生靜電引燃瓦斯氣體。在井下濕度 95% RH 的環境中使用 12 個月后，絕緣電阻仍能保持≥1011Ω，保障煤礦安全生產。?

在風力發電領域，絕緣加工件需適應高海拔強風沙環境，通常選用耐候性優異的硅橡膠復合材料。通過擠出成型工藝制成的絕緣子，邵氏硬度達 60±5HA，經 5000 小時紫外線老化測試后，拉伸強度下降率≤15%，表面憎水性恢復時間≤2 小時。加工時需在原料中添加納米級氧化鋁填料，使體積電阻率≥101?Ω?cm，同時通過三維編織技術增強傘裙結構的抗撕裂強度，確保在 12 級臺風工況下，仍能承受 50kN 以上的機械拉力，且工頻耐壓值≥30kV/cm，有效抵御雷暴天氣下的瞬時過電壓沖擊。?注塑加工件的筋位設計增強結構強度，可承受 20kg 以上的垂直壓力。

半導體封裝用注塑加工件，需達到 Class 10 級潔凈標準，選用環烯烴共聚物（COC）與氣相二氧化硅復合注塑。將 5% 疏水型二氧化硅（比表面積 300m2/g）混入 COC 粒子，通過真空干燥（溫度 80℃，時間 24h）去除水分，再經熱流道注塑（模具溫度 120℃，注射壓力 150MPa）成型，制得粒子析出量≤0.1 個 /ft2 的封裝載體。加工時采用激光微雕技術，在 0.2mm 厚薄膜上雕刻出精度 ±2μm 的導電路徑槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.1μm，避免金屬化過程中產生毛刺。成品在 150℃真空環境中放氣率≤1×10??Pa?m3/s，且通過 1000 次熱循環（-40℃~125℃）測試，翹曲量≤50μm，滿足高級芯片封裝的高精度與低污染要求。這款絕緣件的介電常數穩定，在不同頻率下電氣性能保持一致。杭州出口級加工件定制加工

注塑加工件可根據客戶需求添加玻纖增強，抗拉強度提升 40% 以上。一體加工件ODM/OEM代工

核電站乏燃料處理的注塑加工件，需耐受強輻射與化學腐蝕，選用超高分子量聚乙烯（UHMWPE）與硼纖維復合注塑。添加 10% 碳化硼纖維（直徑 10μm）通過冷壓燒結工藝（壓力 200MPa，溫度 180℃）成型，使材料耐輻射劑量達 1021n/cm2，在 8mol/L 硝酸溶液中浸泡 30 天后質量損失率≤0.3%。加工時采用水刀切割技術（水壓 400MPa），在 20mm 厚板材上加工精度 ±0.1mm 的法蘭密封面，表面經等離子體處理后與鉛板的粘結強度≥25MPa。成品在乏燃料水池中（溫度 80℃，輻射劑量 10?Gy/h）使用 10 年后，拉伸強度保留率≥80%，且體積電阻率≥1012Ω?cm，為核廢料運輸容器提供安全絕緣與輻射屏蔽部件。一體加工件ODM/OEM代工