半導體晶圓傳輸注塑加工件采用靜電耗散型 POM（聚甲醛）與碳納米管復合注塑。添加 5% 碳納米管（直徑 10nm）通過雙螺桿擠出（溫度 200℃，轉速 300rpm）實現均勻分散，使表面電阻穩定在 10?-10?Ω，摩擦起電量≤0.1μC。加工時運用微注塑技術，在 1mm 厚載具上成型精度 ±3μm 的 V 型槽，槽面經等離子體刻蝕（功率 150W，時間 60s）后粗糙度 Ra≤0.05μm，避免晶圓劃傷。成品在 Class 10 潔凈室環境中，粒子脫落量≤0.05 個 / 小時，且通過 1000 次晶圓傳輸循環測試，接觸電阻波動≤3mΩ，滿足 12 英寸晶圓的高精度、低靜電傳輸要求。絕緣加工件的邊緣經過倒角處理，避免劃傷導線，提升設備安全性。不銹鋼沖壓加工件定制加工

深海油氣開采注塑加工件選用超耐蝕 PEEK 與石墨烯納米片復合注塑，原料中添加 8% 氧化石墨烯（層數≤5）經超聲剝離（功率 800W，時間 2h）均勻分散，使材料在 3.5% NaCl 溶液中的腐蝕速率≤0.001mm / 年。加工時采用高壓注塑（注射壓力 250MPa）配合模溫分段控制（前段 180℃，后段 120℃），在防噴器密封件上成型 2mm 厚的唇形結構，配合公差 ±0.01mm。成品經 150MPa 水壓測試（模擬 15000 米深海）保持 48 小時無泄漏，且在 H?S 濃度 1000ppm 環境中浸泡 3000 小時后，拉伸強度保留率≥90%，為深海油氣田的開采設備提供長效密封絕緣部件。RoHS環保加工件設計絕緣加工件的表面粗糙度低，減少灰塵與濕氣的附著，延長使用壽命。

量子計算設備的絕緣加工件需實現極低溫下的無磁絕緣，采用熔融石英玻璃經離子束刻蝕成型。在 10??Pa 真空環境中，通過能量 10keV 的氬離子束刻蝕，控制側壁垂直度≤0.5°，表面粗糙度 Ra≤1nm，避免微波信號反射損耗。加工后的超導量子比特支架，在 4.2K 液氦溫度下，介電損耗角正切值≤1×10??，且磁導率接近真空水平（μ≤1.0001）。成品經 1000 小時低溫循環測試（4.2K~300K），尺寸變化率≤5×10??，確保量子比特相干時間≥1ms，為量子計算機的穩定運行提供低損耗絕緣環境。

半導體封裝用注塑加工件，需達到 Class 10 級潔凈標準，選用環烯烴共聚物（COC）與氣相二氧化硅復合注塑。將 5% 疏水型二氧化硅（比表面積 300m2/g）混入 COC 粒子，通過真空干燥（溫度 80℃，時間 24h）去除水分，再經熱流道注塑（模具溫度 120℃，注射壓力 150MPa）成型，制得粒子析出量≤0.1 個 /ft2 的封裝載體。加工時采用激光微雕技術，在 0.2mm 厚薄膜上雕刻出精度 ±2μm 的導電路徑槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.1μm，避免金屬化過程中產生毛刺。成品在 150℃真空環境中放氣率≤1×10??Pa?m3/s，且通過 1000 次熱循環（-40℃~125℃）測試，翹曲量≤50μm，滿足高級芯片封裝的高精度與低污染要求。注塑加工件的凹槽設計便于線纜理線，提升電子產品內部整潔度。

航空航天領域的輕量化絕緣加工件，多采用石英纖維增強氰酸酯樹脂。通過樹脂傳遞模塑（RTM）工藝成型，在80℃、0.8MPa壓力下固化12小時，制得密度只1.8g/cm3的絕緣件，其比強度達600MPa·cm3/g，可承受30g的加速度沖擊。加工時采用水刀切割技術，避免傳統切削產生的分層缺陷，切割邊緣經等離子體處理后，與鋁合金骨架的粘結強度≥20MPa。成品在-196℃液氮環境中測試，尺寸變化率≤0.05%，且在太空真空環境下的放氣率≤5×10??%，滿足航天器極端工況下的絕緣與結構需求。這款絕緣件具有抗腐蝕特性，在酸堿環境中仍能保持良好絕緣性。一體加工件非標定制

絕緣加工件選用環保型絕緣材料，符合 RoHS 標準，安全無污染。不銹鋼沖壓加工件定制加工

核電站乏燃料處理的注塑加工件，需耐受強輻射與化學腐蝕，選用超高分子量聚乙烯（UHMWPE）與硼纖維復合注塑。添加 10% 碳化硼纖維（直徑 10μm）通過冷壓燒結工藝（壓力 200MPa，溫度 180℃）成型，使材料耐輻射劑量達 1021n/cm2，在 8mol/L 硝酸溶液中浸泡 30 天后質量損失率≤0.3%。加工時采用水刀切割技術（水壓 400MPa），在 20mm 厚板材上加工精度 ±0.1mm 的法蘭密封面，表面經等離子體處理后與鉛板的粘結強度≥25MPa。成品在乏燃料水池中（溫度 80℃，輻射劑量 10?Gy/h）使用 10 年后，拉伸強度保留率≥80%，且體積電阻率≥1012Ω?cm，為核廢料運輸容器提供安全絕緣與輻射屏蔽部件。不銹鋼沖壓加工件定制加工