共射放大電路是 NPN 型小功率晶體三極管常用的應用電路之一，其特點是發射極作為公共電極，輸入信號加在基極和發射極之間，輸出信號從集電極和發射極之間取出。在共射放大電路中，三極管工作在放大區，通過設置合適的靜態工作點，確保輸入交流信號在整個周期內都能被有效放大，避免出現截止失真或飽和失真。電路中的偏置電阻（如 RB1、RB2）用于提供基極偏置電流，確定靜態工作點；集電極電阻 RC 則用于將集電極電流的變化轉化為電壓的變化，實現電壓放大。共射放大電路具有較高的電壓放大倍數和電流放大倍數，同時輸出信號與輸入信號相位相反，因此也被稱為反相放大電路。這種電路廣泛應用于音頻放大、信號預處理等領域，例如在收音機的中頻放大電路中，就大量采用 NPN 型小功率三極管組成共射放大電路，將接收到的微弱中頻信號放大，為后續的解調電路提供足夠幅度的信號。開關特性實驗用脈沖信號控通斷，測量開關時間。江西貼片式NPN型晶體三極管消費電子電路應用采購

貼片封裝（如 SOT-23、SOT-323）與直插封裝（TO-92）的 重要參數（ICM、PCM、β）相近，但散熱性能和安裝密度不同：直插封裝引腳長，散熱路徑長，PCM 通常略低（如 TO-92 封裝的 9013，PCM=625mW）；貼片封裝緊貼 PCB，可通過 PCB 銅箔散熱，PCM 可提升 10%~20%（如 SOT-23 封裝的 MMBT9013，PCM=700mW），且安裝密度高，適合小型化設備（如手機、智能手環）。直插封裝則適合手工焊接和高溫環境（引腳散熱好），如工業控制設備中的繼電器驅動電路，便于維修更換。福建貼片式NPN型晶體三極管太陽能逆變器應用維修服務電源端并 0.1μF 陶瓷電容和 10μF 電解電容，可抑制電源噪聲。

NPN 型小功率晶體三極管的輸出特性曲線是以基極電流（IB）為參變量，描述集電極電流（IC）與集電極 - 發射極電壓（VCE）之間關系的一族曲線。輸出特性曲線通常分為三個區域：截止區、放大區和飽和區。截止區是指 IB=0 時的區域，此時 IC 很小，近似為零，三極管相當于開路，一般當 VBE 小于死區電壓時，三極管工作在截止區；放大區的特點是 IC 基本不隨 VCE 的變化而變化，與 IB 成正比，即 IC=βIB，此時三極管具有穩定的電流放大能力，是放大電路中三極管的主要工作區域，在該區域內，發射結正向偏置、集電結反向偏置；飽和區是指當 VCE 較小時，IC 不再隨 IB 的增大而線性增大，此時 IC 達到飽和值（ICS），三極管相當于短路，飽和時的 VCE 稱為飽和壓降（VCE (sat)），小功率 NPN 型三極管的 VCE (sat) 通常在 0.1-0.3V 之間，飽和區常用于開關電路中，實現電路的導通與關斷。

NPN 型小功率晶體三極管的 重要半導體材料多為硅，少數特殊場景用鍺。硅材料的優勢在于禁帶寬度約 1.1eV，常溫下反向漏電流遠小于鍺管，穩定性更強，這也是硅管成為主流的關鍵原因。例如常用的 901 系列、8050 系列均為硅管，在 25℃環境下，ICBO（集電極 - 基極反向飽和電流）通常小于 10nA；而鍺管 ICBO 可達數 μA，在對成本極端敏感且工作電流極小的簡易電路（如老式礦石收音機）中應用。此外，硅管的溫度耐受范圍更廣（-55℃~150℃），能適配多數民用電子設備的工作環境，鍺管則因溫度穩定性差，逐漸被硅管取代。三極管參數需降額使用，IC≤0.8ICM，保障電路可靠。

NPN 型小功率晶體三極管的輸入特性曲線是描述基極電流（IB）與基極 - 發射極電壓（VBE）之間關系的曲線，通常在固定集電極 - 發射極電壓（VCE）的條件下測繪。對于硅材料的 NPN 型小功率三極管，當 VCE 大于 1V 時，輸入特性曲線基本重合，曲線形狀與二極管的正向伏安特性相似。在 VBE 較小時，IB 幾乎為零，這個區域被稱為死區，硅管的死區電壓約為 0.5V；當 VBE 超過死區電壓后，IB 隨著 VBE 的增加而快速增大，且近似呈指數關系增長，此時 VBE 基本穩定在 0.6-0.7V 的范圍內，這一特性在電路設計中具有重要意義，例如在共射放大電路中，常利用這一特性設置合適的靜態工作點，確保輸入信號在整個周期內都能被有效放大，避免出現截止失真。簡易通斷測試儀中，它放大電流使蜂鳴器發聲，檢測電路通斷。浙江高電壓NPN型晶體三極管汽車電子控制系統應用銷售

教學實驗中，測 IB、IC 繪 β 曲線，助理解電流放大原理。江西貼片式NPN型晶體三極管消費電子電路應用采購

共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態工作點過低，輸入信號負半周使三極管進入截止區，輸出信號正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態工作點過高，輸入信號正半周使三極管進入飽和區，輸出信號負半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當輸入正弦信號時，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調至 3kΩ，降低 ICQ。江西貼片式NPN型晶體三極管消費電子電路應用采購

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