PWM 調(diào)光電路通過(guò)改變?nèi)龢O管導(dǎo)通時(shí)間（占空比）調(diào)節(jié) LED 亮度，占空比范圍受三極管開(kāi)關(guān)速度和 LED 響應(yīng)時(shí)間限制。若占空比過(guò)低（如 <5%），LED 可能出現(xiàn)閃爍，因人眼能感知低頻明暗變化；若占空比過(guò)高（如> 95%），三極管導(dǎo)通時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，可能因 PC=IC×VCE 超過(guò) PCM 導(dǎo)致過(guò)熱。例如 LED 工作電流 300mA，VCE=0.3V（飽和時(shí)），PC=90mW，選擇 PCM=200mW 的三極管（如 8050），占空比可設(shè)為 10%~90%，既避免閃爍，又確保功耗安全，同時(shí) PWM 頻率需≥100Hz，超出人眼視覺(jué)暫留范圍。LC 振蕩電路頻率穩(wěn)定性靠 LC 回路 Q 值，Q 值高則穩(wěn)定性好。湖南通信用NPN型晶體三極管詢(xún)價(jià)

NPN 型小功率晶體三極管的輸出特性曲線(xiàn)是以基極電流（IB）為參變量，描述集電極電流（IC）與集電極 - 發(fā)射極電壓（VCE）之間關(guān)系的一族曲線(xiàn)。輸出特性曲線(xiàn)通常分為三個(gè)區(qū)域：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)是指 IB=0 時(shí)的區(qū)域，此時(shí) IC 很小，近似為零，三極管相當(dāng)于開(kāi)路，一般當(dāng) VBE 小于死區(qū)電壓時(shí)，三極管工作在截止區(qū)；放大區(qū)的特點(diǎn)是 IC 基本不隨 VCE 的變化而變化，與 IB 成正比，即 IC=βIB，此時(shí)三極管具有穩(wěn)定的電流放大能力，是放大電路中三極管的主要工作區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置；飽和區(qū)是指當(dāng) VCE 較小時(shí)，IC 不再隨 IB 的增大而線(xiàn)性增大，此時(shí) IC 達(dá)到飽和值（ICS），三極管相當(dāng)于短路，飽和時(shí)的 VCE 稱(chēng)為飽和壓降（VCE (sat)），小功率 NPN 型三極管的 VCE (sat) 通常在 0.1-0.3V 之間，飽和區(qū)常用于開(kāi)關(guān)電路中，實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷。云南通信用NPN型晶體三極管生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)設(shè)備報(bào)價(jià)單RC 振蕩調(diào)試時(shí)，VCE≈VCC/2，才能滿(mǎn)足起振的放大條件。

共基放大電路以基極接地，輸入信號(hào)加在 EB 間，輸出信號(hào)從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)，優(yōu)勢(shì)是頻率響應(yīng)好（上限截止頻率高），因基極接地減少了極間電容的影響，適合高頻信號(hào)放大；缺點(diǎn)是電流放大倍數(shù) < 1（Ai≈α<1，α=IC/IE），輸入電阻小。常用于高頻通信、射頻電路，如收音機(jī)的中頻放大電路、手機(jī)的射頻信號(hào)預(yù)處理電路。例如在FM 收音機(jī)，共基電路將調(diào)諧后的高頻信號(hào)（10.7MHz）放大，同時(shí)避免高頻信號(hào)因極間電容衰減，保證接收靈敏度。

常見(jiàn)故障有：一是三極管燒毀，多因 IC 超過(guò) ICM、PC 超過(guò) PCM 或 VCE 超過(guò) V (BR) CEO，排查時(shí)用萬(wàn)用表測(cè) CE 間電阻，若為 0Ω（短路）或無(wú)窮大（開(kāi)路），說(shuō)明燒毀，需更換參數(shù)匹配的三極管；二是放大能力下降，表現(xiàn)為輸出信號(hào)幅度減小，測(cè) β 值若明顯低于標(biāo)稱(chēng)值，需更換三極管；三是開(kāi)關(guān)失控，導(dǎo)通時(shí) CE 壓降過(guò)大（未飽和），需增大 IB（減小 RB），截止時(shí) IC 過(guò)大（漏電），需更換質(zhì)量合格的三極管；四是溫度漂移，IC 隨溫度升高而增大，需增加溫度補(bǔ)償電路（如在 RB 旁并聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻）。再測(cè)反向截止性，反向應(yīng)顯示 “OL”，否則 PN 結(jié)漏電。

選型需結(jié)合電路需求綜合判斷：一是確定參數(shù)匹配，ICM≥電路*大 IC 的 1.2 倍，PCM≥電路*大 PC 的 1.2 倍，V (BR) CEO≥電路*大電壓的 1.2 倍，β 根據(jù)放大需求選擇（放大電路選 β=50-100，開(kāi)關(guān)電路選 β=20-50）；二是考慮封裝形式，直插電路選 TO-92，貼片電路選 SOT-23；三是關(guān)注溫度適應(yīng)性，高溫環(huán)境（如工業(yè)控制）選耐高溫型號(hào)（結(jié)溫≥175℃），低溫環(huán)境（如戶(hù)外設(shè)備）選耐低溫型號(hào)（工作溫度≤-40℃）；四是優(yōu)先選常用型號(hào)，性?xún)r(jià)比高且易采購(gòu)，特殊需求（如高頻）選型號(hào)（如 S9018）。三極管開(kāi)關(guān)速度由 ton 和 toff 決定，小功率管多在幾十到幾百 ns。河北高電壓NPN型晶體三極管消費(fèi)電子電路應(yīng)用采購(gòu)

選 ICBO 小的硅管，或在基極接地接泄放電阻，可抑制 ICEO。湖南通信用NPN型晶體三極管詢(xún)價(jià)

NPN 型小功率晶體三極管是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件，其 重要結(jié)構(gòu)由三層半導(dǎo)體材料構(gòu)成，分別為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)采用高摻雜的 N 型半導(dǎo)體，目的是提高載流子（自由電子）的濃度，便于后續(xù)載流子的發(fā)射；基區(qū)為 P 型半導(dǎo)體，其摻雜濃度低，而且物理厚度極薄，通常有幾微米到幾十微米，這種設(shè)計(jì)能讓發(fā)射區(qū)注入的載流子快速穿過(guò)基區(qū)，減少在基區(qū)的復(fù)合損耗；集電區(qū)同樣是 N 型半導(dǎo)體，面積比發(fā)射區(qū)大得多，主要作用是高效收集從基區(qū)過(guò)來(lái)的載流子。三個(gè)區(qū)域分別引出三個(gè)電極，對(duì)應(yīng)發(fā)射極（E）、基極（B）和集電極（C），電極的引出方式和位置會(huì)根據(jù)三極管的封裝形式有所差異，常見(jiàn)的封裝有 TO-92、SOT-23 等，這些封裝既能保護(hù)內(nèi)部半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，又能方便在電路中焊接安裝。湖南通信用NPN型晶體三極管詢(xún)價(jià)

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