振蕩電路是一種無(wú)需外部輸入信號(hào)就能產(chǎn)生交流信號(hào)的電路，NPN 型小功率晶體三極管在振蕩電路中作為放大器件，為電路提供能量，以補(bǔ)償振蕩過(guò)程中的能量損耗，維持振蕩的持續(xù)進(jìn)行。振蕩電路的工作需要滿足相位平衡條件和幅值平衡條件，相位平衡條件是指電路的總相移為 360°（或 0°），即反饋信號(hào)的相位與輸入信號(hào)的相位相同，形成正反饋；幅值平衡條件是指放大電路的放大倍數(shù)與反饋系數(shù)的乘積大于等于 1。常見(jiàn)的由 NPN 型小功率三極管組成的振蕩電路有 RC 橋式振蕩電路、LC 正弦波振蕩電路等。RC 橋式振蕩電路適用于低頻信號(hào)產(chǎn)生，輸出信號(hào)頻率由 RC 選頻網(wǎng)絡(luò)決定，常用于產(chǎn)生音頻范圍內(nèi)的正弦波信號(hào)，如函數(shù)信號(hào)發(fā)生器中的低頻信號(hào)源；LC 正弦波振蕩電路則適用于高頻信號(hào)產(chǎn)生，輸出信號(hào)頻率由 LC 諧振回路決定，廣泛應(yīng)用于無(wú)線電通信、廣播電視等領(lǐng)域，用于產(chǎn)生載波信號(hào)或本振信號(hào)。選 ICBO 小的硅管，或在基極接地接泄放電阻，可抑制 ICEO。全國(guó)高速開(kāi)關(guān)NPN型晶體三極管

溫度對(duì) NPN 型小功率三極管參數(shù)影響比較明顯：一是 VBE 隨溫度升高而減小，每升高 1℃，VBE 下降 2-2.5mV，可能導(dǎo)致 IB 增大、IC 漂移；二是 β 隨溫度升高而增大，每升高 10℃，β 增大 10%-20%，加劇 IC 不穩(wěn)定；三是集電極反向飽和電流 ICBO（發(fā)射極開(kāi)路時(shí) CB 反向電流）隨溫度升高呈指數(shù)增長(zhǎng)，每升高 10℃，ICBO 翻倍，而 ICEO（基極開(kāi)路時(shí) CE 反向電流）≈(1+β) ICBO，變化更劇烈。例如在高溫環(huán)境（如汽車(chē)電子）中，需通過(guò)溫度補(bǔ)償電路（如并聯(lián)二極管）抵消溫度對(duì)參數(shù)的影響。航空航天高可靠性NPN型晶體三極管電流500mA基極并加速電容，可縮短載流子存儲(chǔ)時(shí)間，加快開(kāi)關(guān)速度。

在正常工作狀態(tài)下，NPN 型小功率晶體三極管的三個(gè)電極電流之間存在嚴(yán)格的分配關(guān)系，遵循基爾霍夫電流定律。具體來(lái)說(shuō)，發(fā)射極電流（IE）等于基極電流（IB）與集電極電流（IC）之和，即 IE = IB + IC。在電流放大區(qū)域，集電極電流與基極電流的比值基本保持恒定，這個(gè)比值被稱(chēng)為電流放大系數(shù)（β），表達(dá)式為 β = IC / IB，β 值是衡量三極管電流放大能力的重要參數(shù)，小功率 NPN 型三極管的 β 值通常在 20-200 之間，部分高 β 值型號(hào)可達(dá)到 300 以上。由于 β 值遠(yuǎn)大于 1，所以集電極電流遠(yuǎn)大于基極電流，而發(fā)射極電流則略大于集電極電流。這種電流分配關(guān)系是三極管實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的基礎(chǔ)，例如在音頻放大電路中，微弱的音頻信號(hào)電流作為基極電流輸入，經(jīng)過(guò)三極管放大后，就能在集電極得到幅度較大的輸出電流，進(jìn)而推動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)聲。

NPN 型小功率晶體三極管在開(kāi)關(guān)電路中主要工作在截止區(qū)和飽和區(qū)，通過(guò)控制基極電流來(lái)實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)基極沒(méi)有輸入信號(hào)或輸入信號(hào)較小時(shí)，基極電流 IB=0（或很小），此時(shí)三極管工作在截止區(qū)，集電極電流 IC≈0，集電極與發(fā)射極之間的電壓近似等于電源電壓，三極管相當(dāng)于一個(gè)斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)，電路處于截止?fàn)顟B(tài)；當(dāng)基極輸入足夠大的信號(hào)時(shí)，基極電流 IB 增大，使得集電極電流 IC 達(dá)到飽和值 ICS，此時(shí)三極管工作在飽和區(qū)，集電極與發(fā)射極之間的飽和壓降 VCE (sat) 很小（通常為 0.1-0.3V），三極管相當(dāng)于一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)，電路處于導(dǎo)通狀態(tài)。三極管開(kāi)關(guān)電路具有開(kāi)關(guān)速度快、無(wú)機(jī)械磨損、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路、脈沖電路中，例如在邏輯門(mén)電路（如非門(mén)、與非門(mén)）中，利用 NPN 型小功率三極管的開(kāi)關(guān)特性實(shí)現(xiàn)邏輯電平的轉(zhuǎn)換；在脈沖寬度調(diào)制（PWM）電路中，通過(guò)控制三極管的導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間，實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓或電流的調(diào)節(jié)。老式礦石收音機(jī)用鍺管，因成本低，對(duì)性能要求也低。

隨著電子技術(shù)發(fā)展，NPN 型小功率三極管向微型化、高集成化、低功耗方向發(fā)展，如 SOT-23 封裝進(jìn)一步小型化為 SOT-323，功耗從幾百毫瓦降至幾十毫瓦。同時(shí)，部分場(chǎng)景下被替代：一是集成電路替代，如放大電路用運(yùn)算放大器（如 LM358）替代分立三極管，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)；二是 MOS 管替代，MOS 管（如 N 溝道增強(qiáng)型 MOS 管 IRLML2502）在開(kāi)關(guān)電路中更具優(yōu)勢(shì)，導(dǎo)通電阻小、驅(qū)動(dòng)電流低，適合低功耗場(chǎng)景；三是 GaN（氮化鎵）器件替代，在高頻、高壓場(chǎng)景（如快充電路）中，GaN 器件效率更高、散熱更好。但在簡(jiǎn)單電路（如 LED 驅(qū)動(dòng)、繼電器控制）中，NPN 型小功率三極管因成本低、易用性強(qiáng)，仍將長(zhǎng)期應(yīng)用。?硅管禁帶寬度約 1.1eV，常溫下 ICBO 通常小于 10nA，漏電流小。航空航天高可靠性NPN型晶體三極管電流500mA

PWM 調(diào)光電路中，三極管占空比通常設(shè) 10%-90%，避免閃爍和過(guò)熱。全國(guó)高速開(kāi)關(guān)NPN型晶體三極管

振蕩電路無(wú)需外部輸入信號(hào)即可產(chǎn)生周期性信號(hào)，NPN 型小功率三極管作為放大器件，為電路提供能量補(bǔ)償。振蕩需滿足相位平衡（總相移 360°）和幅值平衡（放大倍數(shù) × 反饋系數(shù)≥1）。例如 RC 橋式振蕩電路，三極管組成共射放大電路（提供 180° 相移），RC 串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)（提供 180° 相移）實(shí)現(xiàn)正反饋，產(chǎn)生低頻正弦波（頻率 f=1/(2πRC)），用于音頻信號(hào)源；LC 振蕩電路（如哈特萊振蕩電路），三極管放大信號(hào)，LC 諧振回路選頻并反饋，產(chǎn)生高頻信號(hào)（f≈1/(2π√(LC))），用于無(wú)線電發(fā)射機(jī)的載波產(chǎn)生。全國(guó)高速開(kāi)關(guān)NPN型晶體三極管

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