共基放大電路以基極接地，輸入信號加在 EB 間，輸出信號從 CB 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)，優(yōu)勢是頻率響應(yīng)好（上限截止頻率高），因基極接地減少了極間電容的影響，適合高頻信號放大；缺點(diǎn)是電流放大倍數(shù) < 1（Ai≈α<1，α=IC/IE），輸入電阻小。常用于高頻通信、射頻電路，如收音機(jī)的中頻放大電路、手機(jī)的射頻信號預(yù)處理電路。例如在FM 收音機(jī)，共基電路將調(diào)諧后的高頻信號（10.7MHz）放大，同時避免高頻信號因極間電容衰減，保證接收靈敏度。工業(yè)控制中，直插三極管驅(qū)動繼電器，便于后期維修更換。線下市場高速開關(guān)NPN型晶體三極管直插封裝

共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態(tài)工作點(diǎn)過低，輸入信號負(fù)半周使三極管進(jìn)入截止區(qū)，輸出信號正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態(tài)工作點(diǎn)過高，輸入信號正半周使三極管進(jìn)入飽和區(qū)，輸出信號負(fù)半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當(dāng)輸入正弦信號時，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調(diào)至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調(diào)至 3kΩ，降低 ICQ。線下市場抗輻射NPN型晶體三極管價(jià)格優(yōu)惠LC 振蕩電路頻率穩(wěn)定性靠 LC 回路 Q 值，Q 值高則穩(wěn)定性好。

共集放大電路又稱射極輸出器，在該電路中，集電極作為公共電極，輸入信號加在基極和集電極之間，輸出信號從發(fā)射極和集電極之間取出。NPN 型小功率三極管在共集放大電路中同樣工作在放大區(qū)，其 重要特點(diǎn)是電壓放大倍數(shù)小于 1 且近似等于 1，輸出電壓與輸入電壓同相位，即輸出電壓跟隨輸入電壓變化，因此也被稱為電壓跟隨器。雖然共集放大電路的電壓放大能力較弱，但它具有輸入電阻高、輸出電阻低的優(yōu)點(diǎn)，輸入電阻高可以減小信號源的負(fù)載效應(yīng)，輸出電阻低則可以提高電路的帶負(fù)載能力，能夠驅(qū)動阻抗較低的負(fù)載。基于這些特點(diǎn)，共集放大電路常用于多級放大電路的輸入級、輸出級或中間隔離級，例如在測量儀器的輸入電路中，采用共集放大電路可以減少對被測信號的影響；在功率放大電路的輸出級前，使用共集放大電路可以起到緩沖作用，提高整個電路的帶負(fù)載能力。

LC 振蕩電路的頻率穩(wěn)定性由 LC 諧振回路的 Q 值決定，Q 值越高，頻率穩(wěn)定性越好。小功率 NPN 管的極間電容（尤其是 Cbc）會影響 LC 回路的等效電容，導(dǎo)致頻率漂移，解決方法是選擇 Cbc 小的高頻三極管（如 2SC3355），并在三極管與 LC 回路間加入隔離電路（如共基電路），減少極間電容對回路的影響。此外，采用溫度系數(shù)小的電容（如云母電容）和電感（如密封電感），可進(jìn)一步降低溫度變化對頻率的影響。例如在 27MHz 的無線話筒振蕩電路中，用 Cbc=1.5pF 的 2SC3355 管，配合云母電容（溫度系數(shù) ±50ppm/℃），頻率漂移可控制在 ±1kHz 以內(nèi)。FM 收音機(jī)中頻放大用 fT≥100MHz 的管，如 2SC1815，避免放大不足。

共集放大電路（射極輸出器）以集電極接地，輸入信號加在 BC 間，輸出信號從 BE 間取出。NPN 型小功率管在該電路中工作在放大區(qū)， 重要特點(diǎn)是電壓放大倍數(shù)≈1（Av<1），輸出與輸入同相（無反相），輸入電阻高（ri≈βRL，RL 為負(fù)載電阻）、輸出電阻低（ro≈ri/β）。雖無電壓放大能力，但帶負(fù)載能力強(qiáng)，常用于多級放大電路的輸入級、輸出級或隔離級。例如在傳感器信號采集電路時，共集電路作為輸入級，高輸入電阻可減少對傳感器輸出信號的衰減；在 LED 驅(qū)動電路中，作為輸出級，低輸出電阻可穩(wěn)定 LED 工作電流。RC 振蕩調(diào)試時，VCE≈VCC/2，才能滿足起振的放大條件。工業(yè)領(lǐng)域NPN型晶體三極管響應(yīng)時間10ns

基極并加速電容，可縮短載流子存儲時間，加快開關(guān)速度。線下市場高速開關(guān)NPN型晶體三極管直插封裝

反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數(shù)，主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) CBO）、集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）和發(fā)射極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) EBO）。V (BR) CBO 是指發(fā)射極開路時，集電極與基極之間所能承受的 反向電壓，若超過此電壓，集電結(jié)會發(fā)生反向擊穿，導(dǎo)致反向電流急劇增大；V (BR) CEO 是指基極開路時，集電極與發(fā)射極之間的反向電壓，其數(shù)值通常小于 V (BR) CBO，因?yàn)榛鶚O開路時，集電結(jié)的反向擊穿會通過基區(qū)影響發(fā)射結(jié)，使得 V (BR) CEO 降低；V (BR) EBO 是指集電極開路時，發(fā)射極與基極之間的反向電壓，由于發(fā)射結(jié)通常工作在正向偏置狀態(tài)，對反向電壓的耐受能力較弱，所以 V (BR) EBO 的數(shù)值較小，一般在幾伏到十幾伏之間。在電路設(shè)計(jì)中，必須確保三極管實(shí)際工作時的電壓不超過對應(yīng)的反向擊穿電壓，否則會導(dǎo)致三極管損壞。線下市場高速開關(guān)NPN型晶體三極管直插封裝

成都三福電子科技有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個不斷銳意進(jìn)取，不斷制造創(chuàng)新的市場高度，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在四川省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無限潛力，成都三福電子科技供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，要不畏困難，激流勇進(jìn)，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！