PWM 調光電路通過改變三極管導通時間（占空比）調節 LED 亮度，占空比范圍受三極管開關速度和 LED 響應時間限制。若占空比過低（如 <5%），LED 可能出現閃爍，因人眼能感知低頻明暗變化；若占空比過高（如> 95%），三極管導通時間過長，可能因 PC=IC×VCE 超過 PCM 導致過熱。例如 LED 工作電流 300mA，VCE=0.3V（飽和時），PC=90mW，選擇 PCM=200mW 的三極管（如 8050），占空比可設為 10%~90%，既避免閃爍，又確保功耗安全，同時 PWM 頻率需≥100Hz，超出人眼視覺暫留范圍。基極串 100Ω-1kΩ 電阻，能限制高頻干擾電流，提升抗干擾性。特殊封裝NPN型晶體三極管電流500mA

LC 振蕩電路的頻率穩定性由 LC 諧振回路的 Q 值決定，Q 值越高，頻率穩定性越好。小功率 NPN 管的極間電容（尤其是 Cbc）會影響 LC 回路的等效電容，導致頻率漂移，解決方法是選擇 Cbc 小的高頻三極管（如 2SC3355），并在三極管與 LC 回路間加入隔離電路（如共基電路），減少極間電容對回路的影響。此外，采用溫度系數小的電容（如云母電容）和電感（如密封電感），可進一步降低溫度變化對頻率的影響。例如在 27MHz 的無線話筒振蕩電路中，用 Cbc=1.5pF 的 2SC3355 管，配合云母電容（溫度系數 ±50ppm/℃），頻率漂移可控制在 ±1kHz 以內。特殊封裝NPN型晶體三極管電流500mA9013 三極管 TO-92 封裝時，PCM=625mW，SOT-23 封裝則為 700mW。

在實際電路設計中，選擇合適的 NPN 型小功率晶體三極管需要綜合考慮多方面因素，確保所選三極管能夠滿足電路的性能要求。首先，根據電路的工作電流確定集電極最大允許電流 ICM，必須保證電路中集電極的最大工作電流小于 ICM；其次，根據電路的工作電壓確定反向擊穿電壓，特別是集電極 - 發射極反向擊穿電壓 V (BR) CEO，要確保電路中的電源電壓和動態電壓峰值不超過 V (BR) CEO；然后，根據電路的功耗要求確定集電極最大允許功耗 PCM，通過計算三極管的實際功耗（PC=IC×VCE），確保 PC 小于 PCM，必要時可考慮加裝散熱片；另外，根據電路的放大需求選擇合適的電流放大系數 β，對于放大電路，需要選擇 β 值

多級放大電路中，NPN 型小功率三極管的級間耦合方式有阻容耦合、直接耦合和變壓器耦合。阻容耦合通過電容傳遞交流信號，隔斷直流，適合低頻信號（如音頻），但電容體積大，不適合集成；直接耦合無耦合電容，適合低頻和直流信號，便于集成，但存在零點漂移，需加溫度補償；變壓器耦合通過變壓器傳遞信號，可實現阻抗匹配，適合高頻功率放大（如射頻電路），但體積大、成本高。例如音頻功率放大電路，前級用阻容耦合（電容 10μF），后級用變壓器耦合，匹配揚聲器阻抗（4Ω），提升輸出功率。檢測三極管好壞，先測 PN 結正向導通性，正常硅管壓降 0.6-0.7V。

繼電器線圈是感性負載，斷電時會產生反向電動勢，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯續流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負極，負極接線圈正極，當線圈斷電時，反向電動勢通過二極管形成回路，保護三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅動，除并聯續流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時，IC=100mA），既滿足驅動需求，又避免過載。開關特性實驗用脈沖信號控通斷，測量開關時間。工業領域高速開關NPN型晶體三極管

LED 驅動中，射極輸出器串聯 15Ω 電阻，使 RL 與 ro 匹配，亮度穩定。特殊封裝NPN型晶體三極管電流500mA

共基放大電路以基極作為公共電極，輸入信號加在發射極和基極之間，輸出信號從集電極和基極之間取出，NPN 型小功率三極管在該電路中工作在放大區。共基放大電路的突出特點是頻率響應好，上限截止頻率高，這是因為基極交流接地，基極電容的影響較小，減少了載流子在基區的渡越時間對高頻信號的影響，因此常用于高頻放大電路中，如射頻信號放大、高頻振蕩電路等。與共射放大電路相比，共基放大電路的電壓放大倍數較高，但電流放大倍數小于 1，即沒有電流放大能力，能實現電壓放大，且輸出信號與輸入信號同相位。在實際應用時，共基放大電路常與共射放大電路組合使用，構成共射 - 共基組合放大電路，既能獲得較高的電壓放大倍數，又能擁有良好的高頻特性，滿足高頻信號放大的需求，例如在通信設備的高頻放大模塊中，就常采用這種組合電路。特殊封裝NPN型晶體三極管電流500mA

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