伴隨工作溫度的升高,如何抑制高溫下熱輻射損失顯得愈發(fā)重要。基于前期的研究基礎(chǔ),研究組開發(fā)出另一種新型金屬陶瓷薄膜WTi-Al2O3。借助光學(xué)模擬設(shè)計,獲得太陽光譜選擇性吸收涂層結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化范圍,構(gòu)建了WTi-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層。經(jīng)600℃長時間(840 h)退火,WTi-Al2O3涂層仍保持較高的吸收率~93%,500℃下的熱發(fā)射率*有10.3%,遠低于文獻報道值(>13%@500℃)。研究表明,WTi合金納米粒子內(nèi)金屬Ti的外擴散、偏析及部分氧化可有效抑制W納米粒子的團聚和長大,從而提高涂層的熱穩(wěn)定性,實現(xiàn)對WTi-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層光學(xué)性能和熱穩(wěn)定性的雙重調(diào)控(Nano Energy 2017, 37, 232),一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法,包括以下依次進行的步驟。福建下打光太陽光譜模擬AM1
et(d,α,z)=ed(d,α,z)+es(α,z),(12)其中,ed(d,α,z)與es(α,z)可從操作s102中得出。s104,針對于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時間、和/或拍攝位置對應(yīng)的所述地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像,計算各自對應(yīng)的太陽總輻照強度相互之間的差值,得到各個地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像之間的太陽光照補償值。從方程(12)可以看出,由于太陽高度角α(x,y,d,t)由遙感圖像中像素點坐標值(x,y)、圖像拍攝時間在一年中的第d天和拍攝時間t決定,因此太陽總輻照強度et(d,α,z)由遙感圖像中像素點坐標值(x,y)、(x,y)處的高程z,圖像拍攝時間在一年中的第d天和拍攝時間t決定,則et(x,y,z,d,t)≡et(d,α,z).(1)吉林銷售太陽光譜模擬AM1此外,堆疊過程使用了一種名為轉(zhuǎn)印的技術(shù),這一技術(shù)能以高精度三維組裝這些微小的設(shè)備。
s25,根據(jù)太陽高度角和拍攝位置高程,計算相對大氣光學(xué)質(zhì)量。在本實施例一可行的方式中,根據(jù)其中,z表示地理位置(l(x),b(y))處的海拔高度,r(α,z)為相對大氣光學(xué)質(zhì)量。s26,根據(jù)相對大氣光學(xué)質(zhì)量,計算直射輻射大氣透明度系數(shù),并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù),計算散射輻射大氣透明度系數(shù)。在本實施例一可行的方式中,根據(jù)τd(α,z)=0.56×(e-0.56r(α,z)+e-0.096r(α,z))×k1(8)計算晴天無云條件下的直射輻射大氣透明度系數(shù),其中,τd(α,z)為所述直射輻射大氣透明度系數(shù),k1為常系數(shù),根據(jù)大氣質(zhì)量渾濁程度,取值范圍例如可以為0.8≤k1≤0.9。
根據(jù)拍攝時刻和所地理經(jīng)度,計算拍攝時刻的太陽時角。在本實施例一可行的方式中,可根據(jù)ω(x,t)=(12-t)×15°-l(x)(5)計算太陽時角,其中,t為拍攝時刻,ω(x,t)為坐標為(x,y)的像素點在t時刻對應(yīng)的太陽時角。s24,根據(jù)太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度,計算拍攝時刻的太陽高度角。在本實施例一可行的方式中,可根據(jù)α(x,y,d,t)=arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x,t)](6)計算太陽高度角α(x,y,d,t)。反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜。
用于比較光譜儀分辨能力的兩條氧氣譜線用箭頭標識(實驗數(shù)據(jù)以紅色顯示,并與文獻中的參考光譜進行了比較。右側(cè)顯示629.216nm處氧線的放大視圖,以及紅色He-Ne激光器(632.816nm處的單頻源)的光譜的插圖。03測量太陽自轉(zhuǎn)引起的多普勒頻移由于太陽吸收線和大氣氧線在太陽光譜的某些區(qū)域非常接近,這種接近可以通過測量太陽吸收線相對于固定氧線的多普勒頻移來確定太陽的旋轉(zhuǎn)速度,從而確定地球和太陽之間的當前距離。進行這項實驗所需的***設(shè)備是高頻光譜儀和太陽望遠鏡。當太陽相對于地球自轉(zhuǎn)時,太陽圓盤的一個分支朝著地球移動,而另一個分支后退。以往使用的化學(xué)鍍膜,對環(huán)境污染大,而且對太陽熱能的吸收不好。云南AM1.5太陽光譜模擬購買
相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上,此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。福建下打光太陽光譜模擬AM1
4)反應(yīng)性濺鍍制備過渡膜:在第四真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻,反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜;步驟4)中,靶材為鉻靶,功率為15kw,電壓為510v,真空度為8.0e-6torr,鍍膜速度為6mm/s,氬氣流量為90sccm,氮氣流量為70sccm,氧氣流量為50sccm,制得的過渡膜的厚度為70nm;5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜:在第五真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻,反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜;福建下打光太陽光譜模擬AM1
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