為了得到高質量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時，通入與被濺射出的物質反應的氣體，相互反應生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統稱為反應性濺鍍。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進行反應，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進行。相反地，如果通入過量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進行反應，也會在靶面上與靶材反應生成化合物。因此，如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對太陽熱能的吸收，提高光熱轉換的效率，是本領域技術人員急需解決的技術問題。技術實現要素：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發生化學反應生成氧化鉻。寧夏高級太陽光譜模擬價格

推薦的，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮氣流量為10～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。推薦的，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮氣流量為10～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。推薦的，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120nm。推薦的，步驟6)中，靶材為硅靶，氬氣流量為50～500sccm，氧氣流量為50～200sccm，制得的抗反射膜的厚度為60～200nm。推薦的，步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片、鋁板或銅板。廣東太陽光譜模擬這一新設備利用了聚光光伏(CPV)電池板，利用透鏡將太陽光集中到微小尺度的太陽能電池上。

步驟2)中，靶材為銅靶，功率為7kw，電壓為520v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為320sccm，制得的低發射率膜的厚度為200nm；3)反應性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發生化學反應生成氮化鉻，反應生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發射率膜的外表面上形成緩沖膜；步驟3)中，靶材為鉻靶，功率為7kw，電壓為420v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為240sccm，氮氣流量為43sccm，制得的緩沖膜的厚度為90nm；

本發明實施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法。為解決上述的技術問題，本發明提供的技術方案為：一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進行的步驟：1)反應性濺鍍制備強化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發生化學反應生成氧化鉻，反應生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜；2)濺鍍制備低發射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強化膜的外表面上形成低發射率膜；膜層包括6層，從下到上依次為氧化鉻材質的強化膜。

根據拍攝時刻和所地理經度，計算拍攝時刻的太陽時角。在本實施例一可行的方式中，可根據ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)(5)計算太陽時角，其中，t為拍攝時刻，ω(x，t)為坐標為(x，y)的像素點在t時刻對應的太陽時角。s24，根據太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度，計算拍攝時刻的太陽高度角。在本實施例一可行的方式中，可根據α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)](6)計算太陽高度角α(x，y，d，t)。制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層。河南AM1.5太陽光譜模擬低價

撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發生化學反應生成氮化鉻，反應生成的氮化鉻沉積。寧夏高級太陽光譜模擬價格

正因為如此，來自太陽圓盤一側的光會因多普勒效應而紅移，而另一側的光會藍移。我們可以觀察和理解這些位移，因為太陽譜線波長相對于大氣氧線的位移——地球大氣吸收產生的氧線相對于望遠鏡是靜止的。從太陽圓盤邊緣到邊緣的比較大多普勒頻移只有~8pm，因此HF-8989-3的儀器分辨率（~1pm），對于測試時必要的。同時，LightMachinery光譜儀的快速采集速率也非常有利于這類測量。與其建立一個復雜的成像系統來顯示耦合到光譜儀光纖中的太陽圓盤部分，不如簡單地設置SpectraLoK軟件，在望遠鏡從一個分支掃描到另一個分支時，每100毫秒記錄一次新的光譜。寧夏高級太陽光譜模擬價格

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