根據τs(α,z)=0.2710-0.2939×τd(α,z)(9)其中,τs(α,z)為散射輻射大氣透明度系數。s27,根據大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度、直射輻射大氣透明度系數和太陽高度角,計算太陽直接輻射強度。在本實施例一可行的方式中,根據ed(d,α,z)=e(d)×τd(α,z)×sinα(x,y,d,t)(10)計算太陽直接輻射強度ed(d,α,z)。s28,根據散射輻射大氣透明度系數和太陽高度角,計算太陽散射輻射強度。在本實施例一可行的方式中,根據計算太陽散射輻射強度es(α,z),k2為常系數,根據大氣質量渾濁程度,取值范圍通常為0.6≤k2≤0.9。s103,根據太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度,計算地球靜止軌道衛星光學遙感圖像的太陽總輻照強度。在本實施例一可行的方式中,根據由于其尺寸很小——小于1平方毫米,因此可以有效地開發具有更復雜材料的太陽能電池。河北上打光太陽光譜模擬AM1.5
可選地,根據相對大氣光學質量,計算直射輻射大氣透明度系數,并根據直射輻射大氣透明度系數,計算散射輻射大氣透明度系數,包括:根據τd(α,z)=0.56×(e-0.56r(α,z)+e-0.096r(α,z))×k1,計算直射輻射大氣透明度系數,其中,τd(α,z)為直射輻射大氣透明度系數,k1為常系數,取值范圍通常為0.8≤k1≤0.9;根據τs(α,z)=0.2710-0.2939×τd(α,z),其中,τs(α,z)為散射輻射大氣透明度系數。可選地,根據大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度、直射輻射大氣透明度系數和太陽高度角,計算太陽直接輻射強度,包括:根據ed(d,α,z)=e(d)×τd(α,z)×sinα(x,y,d,t)計算太陽直接輻射強度ed(d,α,z)。云南AM0太陽光譜模擬銷量這一新設備利用了聚光光伏(CPV)電池板,利用透鏡將太陽光集中到微小尺度的太陽能電池上。
et(d,α,z)=ed(d,α,z)+es(α,z),(12)其中,ed(d,α,z)與es(α,z)可從操作s102中得出。s104,針對于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時間、和/或拍攝位置對應的所述地球靜止軌道衛星光學遙感圖像,計算各自對應的太陽總輻照強度相互之間的差值,得到各個地球靜止軌道衛星光學遙感圖像之間的太陽光照補償值。從方程(12)可以看出,由于太陽高度角α(x,y,d,t)由遙感圖像中像素點坐標值(x,y)、圖像拍攝時間在一年中的第d天和拍攝時間t決定,因此太陽總輻照強度et(d,α,z)由遙感圖像中像素點坐標值(x,y)、(x,y)處的高程z,圖像拍攝時間在一年中的第d天和拍攝時間t決定,則et(x,y,z,d,t)≡et(d,α,z).(1)
反應性濺鍍制備緩沖膜:在第三真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發生化學反應生成氮化鉻,反應生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發射率膜的外表面上形成緩沖膜;4)反應性濺鍍制備過渡膜:在第四真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發生化學反應生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻,反應生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜;5)反應性濺鍍制備吸收膜:在第五真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發生化學反應生成氧化鉻,反應生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜;首先,該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料,這常見于紅外激光器和光電探測器等應用之中。
經檢測,本實施例1制備的膜層的吸收率為94%,比現有技術中膜層的吸收率提高了3%~9%;本申請制備的膜層的發射率為4%,比現有技術中膜層的發射率降低了3%~12%;膜層的附著力根據標準要求測試,結果為1級;采用本申請制備的膜層的太陽能集熱器的熱效率為80.4%,比采用現有技術中膜層的太陽能集熱器的熱效率提高了6%~8.4%。本發明未詳盡描述的方法和裝置均為現有技術,不再贅述。本文中應用了具體實施例對本發明的原理及實施方式進行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫助理解本發明的方法及其**思想。應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明原理的前提下,還可以對本發明進行若干改進和修飾,這些改進和修飾也落入本發明權利要求的保護范圍內。膜層包括6層,從下到上依次為氧化鉻材質的強化膜。重慶AM1太陽光譜模擬銷售
在第五真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發生化學反應生成氧化鉻。河北上打光太陽光譜模擬AM1.5
可選地,根據尺寸、地理經度區間、地理緯度區間,計算地球靜止軌道衛星光學遙感圖像中每個像素對應的地理經度和地理緯度,包括:以地球靜止軌道衛星光學遙感圖像中的一預設點建立直角坐標系,根據遙感圖像尺寸,得到每個像素點在直角坐標系中的坐標(x,y);獲取每個像素點對應的地理坐標(by-1,lx-1);根據計算坐標為(x,y)的像素點對應的地理經度l(x);根據計算坐標為(x,y)的像素點對應的地理緯度b(y);其中,(b0,l0)為坐標值(0,0)為的像素點對應的地理坐標,x×y為尺寸。可選地,根據拍攝日期,計算拍攝日期對應的太陽赤緯角和大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度,包括:根據計算太陽赤緯角;根據計算太陽輻射強度;其中,d表示計算拍攝日期在一年中所處的天數,δ(d)為太陽赤緯角,e(d)為太陽輻射強度。河北上打光太陽光譜模擬AM1.5
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