2)濺鍍制備低發射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強化膜的外表面上形成低發射率膜；3)反應性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發生化學反應生成氮化鉻，反應生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發生化學反應生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜；撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發生化學反應生成二氧化硅，反應生成的二氧化硅沉積在步驟。廣西上打光太陽光譜模擬工廠
示意性示出了本發明實施例太陽光照補償值計算方法的流程圖，如圖1所示，該方法例如可以包括操作s1～s1。s1，獲取地球靜止軌道衛星光學遙感圖像尺寸、地理經度區間、地理緯度區間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程。該尺寸包括地球靜止軌道衛星光學遙感圖像的長或寬，例如，獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛星光學遙感圖像。地理經度區間、地理緯度區間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程例如可以從數據庫中獲取。s2，根據地球靜止軌道衛星光學遙感圖像尺寸、地理經度區間、地理緯度區間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程，計算地球靜止軌道衛星光學遙感圖像拍攝位置的太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度。山東上打光太陽光譜模擬公司雖然科學家們為了實現更具效率的太陽能電池已經努力多年，這一方法具有兩個創新之處。
該儀器能夠快速顯示實時光譜，因此有可能找到具有***多普勒頻移的望遠鏡位置，同時在這些位置記錄更長的曝光光譜，提高信噪比。下圖所示的鐵譜線相隔約5pm，因為這些光譜不是在太陽圓盤的末端拍攝的。太陽自轉引起的兩條夫瑯和費鐵線（相對于未移動的氧線）多普勒頻移的測量。在左邊的圖表中，紅色和藍色的線是HF-8989-3光譜儀的實驗數據，當時太陽圓盤的圖像通過輸入光纖移動到光譜儀（從一個邊緣到另一個邊緣）。每個實驗光譜的曝光時間<1秒。
這發生在太陽大氣層的外層（夫瑯和費線），或通過地球大氣層內的吸收（由水蒸氣或氧氣等氣體引起的大氣吸收譜線）。每個單獨的條紋由標準具或VIPA的一個FSR隔開。標準具FSR由其制造工藝精確確定，這意味著將原始條紋圖像與現有文獻中的太陽光譜進行比較，即可得到相應的太陽光譜。HN-9332光譜儀在518nm附近記錄的太陽極光光譜顯示了太陽外層的Mg三重態吸收(除了所示的Mg線和Fe線之外，在太陽光譜的這個區域也有一些Ni吸收線）。比較LightMachineryHF-8989-2e光譜儀記錄的太陽光譜（紅色數據）和參考光譜（藍色數據）相互反應生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統稱為反應性濺鍍。
在本申請的一個實施例中，步驟2)中，靶材為銅靶，氬氣流量為50～500sccm，制得的低發射率膜的厚度為180～220nm。在本申請的一個實施例中，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮氣流量為10～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。在本申請的一個實施例中，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮氣流量為10～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。在本申請的一個實施例中，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120nm。首先，該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料，這常見于紅外激光器和光電探測器等應用之中。江西AM1.5太陽光譜模擬低價
由于在濺鍍化合物薄膜時，若直接以化合物當作靶材，則所濺鍍出來的薄膜會與靶材成份有所差別。廣西上打光太陽光譜模擬工廠
反應性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發生化學反應生成氮化鉻，反應生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發生化學反應生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜；5)反應性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發生化學反應生成氧化鉻，反應生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；廣西上打光太陽光譜模擬工廠
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