在本申請的一個實施例中，步驟2)中，靶材為銅靶，氬氣流量為50～500sccm，制得的低發射率膜的厚度為180～220nm。在本申請的一個實施例中，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮氣流量為10～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。在本申請的一個實施例中，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮氣流量為10～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。在本申請的一個實施例中，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120nm。經國家節能產品質量監督檢驗中心檢測，該六層膜的膜層具有優異的性能。遼寧AM0太陽光譜模擬低價

如圖4所示，在本實施例以可行的方式中，***計算模塊320例如可以包括：***計算單元321，用于根據尺寸、地理經度區間、地理緯度區間，計算地球靜止軌道衛星光學遙感圖像中每個像素對應的地理經度和地理緯度。第二計算單元322，用于根據拍攝日期，計算拍攝日期對應的太陽赤緯角和大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度。第三計算單元323，用于根據拍攝時刻和地理經度，計算拍攝時刻的太陽時角。第四計算單元324，用于根據太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度，計算拍攝時刻的太陽高度角。湖南代理太陽光譜模擬公司撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發生化學反應生成二氧化硅，反應生成的二氧化硅沉積在步驟。

經檢測，本實施例1制備的膜層的吸收率為94％，比現有技術中膜層的吸收率提高了3％～9％；本申請制備的膜層的發射率為4％，比現有技術中膜層的發射率降低了3％～12％；膜層的附著力根據標準要求測試，結果為1級；采用本申請制備的膜層的太陽能集熱器的熱效率為80.4％，比采用現有技術中膜層的太陽能集熱器的熱效率提高了6％～8.4％。本發明未詳盡描述的方法和裝置均為現有技術，不再贅述。本文中應用了具體實施例對本發明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發明的方法及其**思想。應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以對本發明進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本發明權利要求的保護范圍內。

本發明實施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法。為解決上述的技術問題，本發明提供的技術方案為：一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進行的步驟：1)反應性濺鍍制備強化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發生化學反應生成氧化鉻，反應生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜；2)濺鍍制備低發射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強化膜的外表面上形成低發射率膜；等到陽光透過整個堆棧之時，近一半的可用能量都被轉換為了電力。

根據本發明的實施例的模塊、單元中的任意多個、或其中任意多個的至少部分功能可以在一個模塊中實現。根據本發明實施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以被拆分成多個模塊來實現。根據本發明實施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以至少被部分地實現為硬件電路，例如現場可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統、基板上的系統、封裝上的系統、**集成電路(asic)，或可以通過對電路進行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來實現，或以軟件、硬件以及固件三種實現方式中任意一種或以其中任意幾種的適當組合來實現。或者，根據本發明實施例的模塊、單元中的一個或多個可以至少被部分地實現為計算機程序模塊，當該計算機程序模塊被運行時，可以執行相應的功能。反應性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材。浙江代理太陽光譜模擬代理

撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發生化學反應生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻。遼寧AM0太陽光譜模擬低價

接太陽能電池提供了一條實現路徑。”   雖然科學家們為了實現更具效率的太陽能電池已經努力多年，這一方法具有兩個創新之處。首先，該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料，這常見于紅外激光器和光電探測器等應用之中。這種新型的基于銻化鎵的太陽能電池被組裝成堆棧式結構，同時在傳統基底上生長能捕捉較短波長的太陽光的高效太陽能電池。此外，堆疊過程使用了一種名為轉印的技術，這一技術能以高精度三維組裝這些微小的設備。   這種太陽能電池非常昂貴，但研究者認為其**重要的是遼寧AM0太陽光譜模擬低價

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