國產企業光刻技術已取得突破。泰晶科技從2011年開始布局光刻工藝研發，2014年組建了國內同行業很早一家微納米晶體加工技術重點實驗室，以激光調頻和光刻技術為基礎，加強MEMS技術在晶體諧振器產品的應用。目前公司已經取得了微型晶體諧振器生產的重要技術研究成果，成功使用雙面光刻工藝，將超過3000顆的“1610”型號晶體諧振器集成至3寸的WAFER片上。微電子機械系統（MEMS）技術的有效應用為石英晶體的加工提供了技術借鑒和啟發。MEMS技術利用IC加工技術實現微納米尺度加工，在加工精度、加工手段、EDA(計算機輔助設計)等方面具有先天優勢，因此石英晶體技術與MEMS技術的結合成為必然趨勢。移動終端：預計2022年國內手機廠商對晶振需求量達35.2億顆。吉林晶振選型

時鐘電路和晶體下鋪地將提供一個映像平面，可以降低對相關晶體和時鐘電路產生共模電流，從而降低射頻輻射，地平面對差模射頻電流同樣有吸收作用，這個平面必須通過多點連接到完整的地平面上，并要求通過多個過孔，這樣可以提供低的阻抗，為增強這個地平面的效果，時鐘發生電路應該與這個地平面靠近。SMT封裝的晶體將比金屬外殼的晶體有更多的射頻能量輻射：因為表貼晶體大多是塑料封裝，晶體內部的射頻電流會向空間輻射并耦合到其他器件。江西有源振蕩器和無源振蕩器資訊設備：電子計算機保持較高出貨量，年晶振需求量約31億顆。

AT切型晶振缺陷：傳統機械加工難以滿足嚴格的公差要求。AT切割是目前使用量較大的石英晶體類型之一，常用于高頻晶振。典型的超小型胚料尺寸小于3.5*0.63mm，加工難度大幅增加。大規模生產小型晶體時，需要將公差控制在2um以內，而傳統機械加工難以滿足嚴格的公差要求。超高頻晶振缺陷：多次倍頻導致相噪損失嚴重。晶振工作頻率通常與晶片厚度成反比，傳統機械加工適合的頻率范圍為1-40MHz（對應晶片厚度0.04mm）。以傳統方式生產百MHz晶振需要將晶片加工至超薄，從而導致出現穩定性差及易破損的缺點。因此，生產百兆赫茲高頻晶振通常采用10MHz成熟產品作為基準頻率源，并經過多次倍頻獲得所需信號。但這樣導致電路復雜，相噪損失嚴重。

對于時鐘晶體、時鐘電路，可以采用屏蔽措施進行屏蔽處理。若時鐘外殼為金屬，則PCB設計時一定要在晶體下方鋪銅，并保證此部分與完整的地平面有良好的電氣連接(通過多孔接地)。5）時鐘晶體下面鋪地的好處：晶體振蕩器內部的電路會產生射頻電流，如果晶體是金屬外殼封裝的，直流電源腳是直流電壓參考和晶體內部射頻電流回路參考的依靠，通過地平面釋放外殼被射頻輻射產生的瞬態電流?？傊?，金屬外殼是一個單端天線，很近的映像層、地平面層有時兩層或者更多層做為射頻電流對地的輻射耦合作用是足夠的。晶體下鋪地對散熱也是有好處的。內部振蕩器、無源晶振、有源晶振有什么區別？

因為5404的電壓反饋是靠C2的，假設C2過大，反饋電壓過低，這個也是不穩定，假設C2過小，反饋電壓過高，儲存能量過少，容易受外界干擾，也會輻射影響外界。C1的作用對C2恰好相反。因為我們布板的時候，假設雙面板，比較厚的，那么分布電容的影響不是很大，假設在高密度多層板時，就需要考慮分布電容。有些用于工控的項目，建議不要用無源晶振的方法來起振，而是直接接有源晶振。也是主要由于無源晶振需要起振的原因，而工控項目要求穩定性要好，所以會直接用有源晶振。在有頻率越高的頻率的晶振，穩定度不高，所以在速度要求不高的情況下會使用頻率較低的晶振。日本主要晶振廠商盈利能力下降，擴產意愿不強。湖北8m的晶振

石英晶振可用于無線數據傳輸與計時，被譽為工業之鹽。吉林晶振選型

剛學單片機的學長告訴我單片機的晶振電路中就是用22pf或30pf的電容就行，聽人勸吃飽飯吧，照著焊電路一切ok，從沒想過為什么，知其所以然而不知其為什么所以然，真是悲哀，這些天狀態好像一直不太好，也難以說清楚為什么，前幾天跟著老師去別的實驗室聽課，其實也就是聽一聽老師和師傅給別的實驗室的同學講嵌入式的種種，還有就是那天師傅單獨和談了挺長時間，我從心底感謝他們，他們讓我懂得反思，調整，我對自己持有怎么的學習態度和應該如何付諸于行動有了新的理解，這遠比單純的交給我一些知識要好很多。說起這個小知識點本人還有這么個經歷和大家一塊分享一下吧。話說我曾經幫一女生做東西，其實超級簡單就是個ATMEGAL16單片機的溫度采集系統，我焊工雖然一般但給女生幫忙么，還是比較用心的應該沒問題的，事實卻不盡人意焊出來的較小系統竟然不好使，我把電路查了幾遍也沒找出錯誤，然后就懷疑是不是單片機就鎖死了，換了幾塊單片機也不好使，自己還一直認為我在同一屆的同學中算還學得可以的，真是有點可笑，發現，在我原件短缺的情況下我糊里糊涂把兩個0.1uf的電容焊在了晶振電路中，導致晶振不起振所以整個電路就表現為不好使，換成22pf的電容馬上就好使了吉林晶振選型

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