硅光芯片耦合測試系統系統，該設備主要由極低/變溫控制子系統、背景強磁場子系統、強電流加載控制子系統、機械力學加載控制子系統、非接觸多場環境下的宏/微觀變形測量子系統五個子系統組成。其中極低/變溫控制子系統采用GM制冷機進行低溫冷卻，實現無液氦制冷，并通過傳導冷方式對杜瓦內的試樣機磁體進行降溫。產品優勢：1、可視化杜瓦，可實現室溫~4.2K變溫環境下光學測試根據測試。2、背景強磁場子系統能夠提供高達3T的背景強磁場。3、強電流加載控制子系統采用大功率超導電源對測試樣品進行電流加載，較大可實現1000A的測試電流。4、該測量系統不與極低溫試樣及超導磁體接觸，不受強磁場、大電流及極低溫的影響和干擾，能夠高精度的測量待測試樣的三維或二維的全場測量。IC測試架由多個模塊組成，包括測試模塊、控制模塊、存儲模塊以及測試結果顯示模塊等。陜西震動硅光芯片耦合測試系統供應

硅光芯片耦合測試系統使用到一些有視覺輔助地初始光耦合的步驟是屬于耦合工藝的一部分。在此工藝過程中，輸入及輸出光纖陣列和波導輸入及輸出端面的距離大約是100~200微米，以便通過使用機器視覺精密地校準預粘接間隙的測量，為后面必要的旋轉耦合留出安全的空間。旋轉耦合技術的原理。大體上來講，旋轉耦合是通過使用線性偏移測量及旋轉移動相結合的方法，將輸出光纖陣列和波導的的第1個及結尾一個通道進行耦合，并作出必要的更正調整。輸出光纖陣列的第1個及結尾一個通道和兩個光探測器相聯接。陜西震動硅光芯片耦合測試系統供應硅光芯片耦合測試系統硅光芯片的好處：可嵌入性。

硅光芯片耦合測試系統主要工作可以分為四個部分(1)從波導理論出發,分析了條形波導以及脊型波導的波導模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。(2)針對倒錐型耦合結構,分析在耦合過程中,耦合結構的尺寸對插入損耗,耦合容差的影響,優化耦合結構并開發出行之有效的耦合工藝。(3)理論分析了硅光芯片調制器的載流子色散效應,分析了調制器的基本結構MZI干涉結構,并從光學結構和電學結構兩方面對光調制器進行理論分析與介紹。(4)利用開發出的耦合封裝工藝,對硅光芯片調制器進行耦合封裝并進行性能測試。分析并聯MZI型硅光芯片調制器的調制特性,針對調制過程,建立數學模型,從數學的角度出發,總結出調制器的直流偏置電壓的快速測試方法。并通過調制器眼圖分析調制器中存在的問題,為后續研發提供改進方向。

硅光芯片耦合測試系統系統的服務器為完成設備控制及自動測試應包含有自動化硅光芯片耦合測試系統服務端程序，可以使用于根據測試站請求信息分配測試設備，并自動切換光矩陣進行自動測試。服務器連接N個測試站、測試設備、光矩陣。其中N個測試站連接由于非占用式特性采用網口連接方式；測試設備包括可調激光器、偏振控制器和多通道光功率計，物理連接采用GPIB接口、串口或者USB接口；光矩陣連接采取串口。自動化硅光芯片耦合測試系統服務端程序包含三個功能模塊：多工位搶占式通信、設備自動測試、測試指標運算；設備自動測試過程又包含如下三類：偏振態校準、存光及指標測試。聚合物將其壓在FA上,使得FA進入V槽中。每個光纖的位置可以進行調整,光纖完全落入槽中,達到比較好的耦合效率。

硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調制器、探測器、無源波導器件等組成，將多種光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸帶寬更高等特點，因為硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所以能集成更多的光器件；在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著大規模生產的實現，硅光芯片的低成本成了巨大優勢；硅光芯片的傳輸性能好，因為硅光材料折射率差更大，可以實現高密度的波導和同等面積下更高的傳輸帶寬。像我們的硅光芯片耦合測試系統就應用到了大量的硅光芯片。硅光芯片耦合測試系統硅光芯片的好處：片內具有快速RAM，通常可通過單獨的數據總線在兩塊中同時訪問。陜西震動硅光芯片耦合測試系統供應

硅光芯片耦合測試系統硅光芯片的好處：可編程性。陜西震動硅光芯片耦合測試系統供應

提到硅光芯片耦合測試系統，我們來認識一下硅光子集。硅光子集成的工藝開發路線和目標比較明確，困難之處在于如何做到與CMOS工藝的較大限度的兼容，從而充分利用先進的半導體設備和工藝，同時需要關注個別工藝的特殊控制。硅光子芯片的設計目前還未形成有效的系統性的方法，設計流程沒有固化，輔助設計工具不完善，但基于PDK標準器件庫的設計方法正在逐步形成。如何進行多層次光電聯合仿真，如何與集成電路設計一樣基于可重復IP進行復雜芯片的快速設計等問題是硅光子芯片從小規模設計走向大規模集成應用的關鍵。陜西震動硅光芯片耦合測試系統供應