NanoWriterAdvanceNWA-100：亞微米級精度突破，NWA-100作為high-end型號，將分辨率提升至0.3μm，憑借405nm激光光源與優(yōu)化光學(xué)系統(tǒng)，可刻制接近納米級的精細(xì)結(jié)構(gòu)。該設(shè)備支持多層半自動對準(zhǔn)，only需數(shù)分鐘即可完成多層圖案疊加，高重復(fù)性（0.1μm）確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可復(fù)現(xiàn)性。在柔性電子研發(fā)中，某團(tuán)隊利用其0.6μm精度加工的電極圖案，使柔性傳感器響應(yīng)速度提升40%，充分展現(xiàn)了其在high-end科研中的應(yīng)用價值。德國 Polos 是桌面級紫外激光直寫光刻機(jī)領(lǐng)域benchmark品牌，以 “高精度、低成本、易操作” 為core定位。主打無掩模技術(shù)與緊湊設(shè)計，產(chǎn)品覆蓋 NanoWriter、Beam 等系列，分辨率達(dá) 0.3-23μm，適配多基材加工。廣泛應(yīng)用于微電子、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域，為科研機(jī)構(gòu)與中小企業(yè)提供高性價比微納加工解決方案，推動技術(shù)普惠。?材料科學(xué)：超疏水表面納米圖案化，接觸角 165°，防腐蝕性能增強(qiáng) 10 倍。吉林德國POLOS光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

某材料實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達(dá) 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實(shí)現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運(yùn)，液滴驅(qū)動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。湖北桌面無掩模光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化亞微米級精度：0.8 μmmost小線寬，支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。

售后服務(wù)：科研保障的全周期覆蓋，Polos通過經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)提供完善的售后支撐，設(shè)備整機(jī)質(zhì)保期長達(dá)1年，貨期約200天。安裝調(diào)試階段提供現(xiàn)場free培訓(xùn)，確保操作人員快速掌握設(shè)備使用與維護(hù)技巧。針對科研機(jī)構(gòu)的特殊需求，還可提供定制化光學(xué)模塊更換服務(wù)，例如將405nm光源升級為375nm以適配i-Line光刻膠，這種靈活的服務(wù)模式大幅提升了設(shè)備的適配性。德國 Polos 是桌面級紫外激光直寫光刻機(jī)領(lǐng)域benchmark品牌，以 “高精度、低成本、易操作” 為core定位。主打無掩模技術(shù)與緊湊設(shè)計，產(chǎn)品覆蓋 NanoWriter、Beam 等系列，分辨率達(dá) 0.3-23μm，適配多基材加工。廣泛應(yīng)用于微電子、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域，為科研機(jī)構(gòu)與中小企業(yè)提供高性價比微納加工解決方案，推動技術(shù)普惠。?

針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備，將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%，開關(guān)損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗(yàn)證新型柵極結(jié)構(gòu)，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。POLOS μ 光刻機(jī)：桌面級設(shè)計，2-23μm 可調(diào)分辨率，兼容 4 英寸晶圓，微機(jī)電系統(tǒng)加工誤差 < 5μm。

某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。Polos-BESM 光刻機(jī)：無掩模激光技術(shù)，成本降低 50%，任意圖案輕松輸入，適配實(shí)驗(yàn)室微納加工。北京光刻機(jī)可以自動聚焦波長

多材料兼容：金屬 / 聚合物 / 陶瓷同步加工，微流控芯片集成傳感器一步成型。吉林德國POLOS光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

Polos-BESM在電子器件原型開發(fā)中展現(xiàn)高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導(dǎo)入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團(tuán)隊利用同類設(shè)備成功制備了高頻電路元件，驗(yàn)證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。吉林德國POLOS光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米