細胞培養(yǎng)芯片需根據(jù)不同細胞類型設(shè)計表面微結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光刻依賴掩模庫，難以滿足個性化需求。Polos 光刻機支持 STL 模型直接導(dǎo)入，某干細胞研究所在 24 小時內(nèi)完成了神經(jīng)干細胞三維培養(yǎng)支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm，適配不同分化階段的細胞黏附需求。實驗顯示，使用該支架的神經(jīng)細胞軸突生長速度提升 30%，為神經(jīng)再生機制研究提供了高效工具，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給生物芯片企業(yè)實現(xiàn)量產(chǎn)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM XL：加大加工幅面，滿足中尺寸器件一次性成型需求。吉林光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構(gòu)。其激光直寫技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%，計算能效比達 10TOPS/W，較傳統(tǒng) GPU 提升兩個數(shù)量級。基于該技術(shù)的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務(wù)中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應(yīng)用于智能攝像頭和無人機避障系統(tǒng)，相關(guān)芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。吉林POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米成本效益：單次曝光成本低于傳統(tǒng)光刻 1/3，小批量研發(fā)更經(jīng)濟。

某分析化學實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)了集成電化學傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術(shù)在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極，傳感器的檢測限達 1nM，較傳統(tǒng)電化學工作站提升 100 倍。通過軟件輸入不同圖案，可在 24 小時內(nèi)完成從葡萄糖檢測到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時檢測（POCT）設(shè)備，使現(xiàn)場水質(zhì)監(jiān)測時間從 2 小時縮短至 10 分鐘，相關(guān)設(shè)備已通過歐盟 CE 認證。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

某生物物理實驗室利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于壓阻效應(yīng)的細胞力傳感器。其激光直寫技術(shù)在硅基底上制造出 5μm 厚的懸臂梁結(jié)構(gòu)，傳感器的力分辨率達 10pN，較傳統(tǒng) AFM 提升 10 倍。通過在懸臂梁表面刻制 100nm 的微柱陣列，實現(xiàn)了單個心肌細胞收縮力的實時監(jiān)測，力信號信噪比提升 60%。該傳感器被用于心臟纖維化機制研究，成功捕捉到心肌細胞在病理狀態(tài)下的力學變化，相關(guān)數(shù)據(jù)為心肌修復(fù)藥物開發(fā)提供了關(guān)鍵依據(jù)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。光刻膠broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，優(yōu)化參數(shù)降低側(cè)壁粗糙度。

微納衛(wèi)星對部件重量與精度要求苛刻，傳統(tǒng)加工難以兼顧。Polos 光刻機在硅基材料上實現(xiàn)了 50nm 深度的微溝槽加工，為某航天團隊制造出輕量化星載慣性導(dǎo)航陀螺結(jié)構(gòu)。通過自定義螺旋型振動梁圖案，陀螺的零偏穩(wěn)定性提升至 0.01°/h，較商用產(chǎn)品性能翻倍。該技術(shù)還被用于微推進器噴嘴陣列加工，使衛(wèi)星姿態(tài)調(diào)整精度達到亞毫牛級，助力我國低軌衛(wèi)星星座建設(shè)取得關(guān)鍵突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業(yè)級重復(fù)精度0.1 μm。天津德國POLOS桌面無掩模光刻機MAX層厚可達到10微米

未來技術(shù)儲備：持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。吉林光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

德國 Polos 光刻機系列是電子學領(lǐng)域不可或缺的精密設(shè)備。其無掩模激光光刻技術(shù)，讓電路圖案曝光不再受限于掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)超高精度的圖案繪制。在芯片研發(fā)過程中，Polos 光刻機可precise刻畫出納米級別的電路結(jié)構(gòu)，為芯片性能提升奠定基礎(chǔ)。? 科研團隊使用 Polos 光刻機，成功開發(fā)出更高效的集成電路，降低芯片能耗，提高運算速度。而且，該光刻機可輕松輸入任意圖案，滿足不同電子元件的多樣化設(shè)計需求。無論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發(fā)，Polos 光刻機都能以高精度、低成本的優(yōu)勢，為電子學領(lǐng)域的科研成果產(chǎn)出提供有力保障，推動電子技術(shù)不斷創(chuàng)新。吉林光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸