某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機開發了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構。其激光直寫技術在 10nm 厚度的 HfO?介質層上實現了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導均勻性提升至 95%，計算能效比達 10TOPS/W，較傳統 GPU 提升兩個數量級?；谠摷夹g的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應用于智能攝像頭和無人機避障系統，相關芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。德國工藝：精密制造基因，10 年以上使用壽命，維護成本低，設備殘值率達 60%。陜西BEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

一所高校的電子工程實驗室專注于新型傳感器的研究。在開發一款超靈敏壓力傳感器時，面臨著如何在微小尺寸上構建高精度電路圖案的難題。德國 Polos 光刻機的引入解決了這一困境。其可輕松輸入任意圖案進行曝光的特性，讓研究人員能夠根據傳感器的特殊需求，設計并制作出獨特的電路結構。通過 Polos 光刻機precise的光刻，成功制造出的壓力傳感器，靈敏度比現有市場產品提高了兩倍以上。該成果已獲得多項patent，并吸引了多家科技企業的關注，有望實現產業化應用，為可穿戴設備、智能機器人等領域帶來新的發展機遇。江蘇PSP光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸微流體3D成型：復雜流道快速曝光，助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統研發。

無掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術，用戶可通過軟件直接輸入任意圖案，省去傳統光刻中掩膜制備的高昂成本與時間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）支持5英寸晶圓的高精度加工，特別適合實驗室快速原型開發。閉環自動對焦系統（1秒完成）和半自動多層對準功能，remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發效率62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

在構建肝臟芯片的血管化網絡時，某生物工程團隊使用 Polos 光刻機實現了跨尺度結構制備。其無掩模技術在 200μm 的主血管與 5μm 的blood capillary間precise銜接，血管內皮細胞貼壁率達 95%，較傳統光刻提升 30%。通過輸入 CT 掃描的真實肝臟血管數據，芯片成功模擬門靜脈與肝竇的血流梯度，使肝細胞功能維持時間從 7 天延長至 21 天。該技術為藥物肝毒性測試提供了接近體內環境的模型，某制藥公司使用后將候選藥物篩選周期縮短 40%，相關成果登上《Lab on a Chip》封面。無掩模技術優勢：摒棄傳統掩模，圖案設計實時調整，研發成本直降 70%。

某材料科學研究中心在探索新型納米復合材料的性能時，需要在材料表面構建特殊的納米圖案。德國 Polos 光刻機成為實現這一目標的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結構。經過測試發現，帶有特定圖案的納米復合材料，其電學、光學和力學性能發生了remarkable改變。例如，一種原本光學性能普通的納米材料，在經過 Polos 光刻機處理后，對特定波長光的吸收率提高了 30%，為開發新型光電器件和光學傳感器提供了新的材料選擇和設計思路 。Polos-μPrinter 入選《半導體技術》年度創新產品，推動無掩模光刻技術普及。北京德國BEAM光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

成本效益：單次曝光成本低于傳統光刻 1/3，小批量研發更經濟。陜西BEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術在藍寶石襯底上實現了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產品水平。該技術還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統core器件的國產化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。陜西BEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸