真空計在半導體工藝中的應用刻蝕機需多規聯合監控：電容規測腔體壓力（1~10?2Pa），電離規監控等離子體區（10?2~10??Pa）。ALD設備要求真空計耐腐蝕（如Al?O?鍍膜用氟化釔涂層電離規）。數據采樣率需>10Hz以匹配工藝控制節奏。14.真空計的壽命與維護熱陰極規壽命約1~2萬小時（燈絲斷裂）；冷陰極規可達10萬小時。維護包括：①定期烘烤除氣（200℃/24h）；②避免油蒸氣污染；③檢查電纜絕緣（高阻抗易受干擾）。故障模式中，燈絲開路占70%，陶瓷絕緣劣化占20%。電容真空計通常適用于中低真空范圍的測量，如從大氣壓到幾千帕甚至更低。廣東金屬電容薄膜真空計公司

6. 麥克勞真空計麥克勞真空計，通過壓縮氣體測量壓力，適用于高真空和超高真空范圍。原理：利用氣體壓縮后的液柱高度差測量壓力。測量范圍：10?? Torr 到 10?3 Torr。優點：精度高，無需校準。缺點：操作復雜，響應慢。應用：實驗室高真空校準。7. 質譜儀質譜儀通過分析氣體成分來間接測量壓力，適用于超高真空和極高真空范圍。（1）四極質譜儀原理：利用四極電場分離氣體離子，通過離子電流測量壓力。測量范圍：10?12 Torr 到 10?? Torr。優點：可分析氣體成分。缺點：成本高，操作復雜。應用：超高真空和極高真空系統。江蘇大氣壓真空計生產企業真空計的讀數可能會受到外部環境因素的影響。

真空測量就是真空度的測量，而真空度（詳細注釋見前文：知識分享②|真空如何獲得？）是指低于大氣壓力注釋的氣體稀薄程度的物理量。通常，將用以探測低壓空間稀薄氣體壓力所用的儀器稱為真空計。注釋：大氣壓力：通常指一個標準大氣壓，壓強的單位之一。當溫度為0℃（273.15K）時，在重力加速度為980.655cm/s2處（即在地球緯度為45°的海平面上），使用**的密度為13.5951g/cm3，則760mm高的**柱所產生的壓強為1標準大氣壓。1毫米汞柱（mmHg）和1托(Torr)相近，兩者相差約千萬分之一。1mmHg=1Torr=133.3Pa一個標準大氣壓1atm=101325Pa=760mmHg=1.01325bar=760Torr

真空計用于測量真空系統中的壓力，使用方法如下：1. 選擇合適類型根據測量需求選擇合適的真空計類型，常見的有：熱偶真空計：適用于低真空（1 Pa - 1000 Pa）。電離真空計：適用于高真空（10^-3 Pa - 10^-8 Pa）。皮拉尼真空計：適用于中真空（0.1 Pa - 1000 Pa）。電容薄膜真空計：適用于寬范圍（10^-4 Pa - 1000 Pa）。2. 安裝位置選擇：安裝在真空系統靠近測量點的位置，避免氣流或溫度波動影響。連接方式：確保接口密封良好，通常使用法蘭或螺紋連接。3. 校準校準步驟：使用標準真空源或校準設備，按說明書進行校準。校準頻率：定期校準，確保測量精度。4. 操作啟動：接通電源，預熱（如有需要）。讀數：待讀數穩定后記錄壓力值。調整：根據測量結果調整真空系統。5. 維護清潔：定期清潔傳感器，避免污染。檢查：檢查密封性和電氣連接，確保正常工作。更換：傳感器老化或損壞時及時更換。6. 注意事項量程：避免超出量程使用，防止損壞。環境：避免在腐蝕性、高溫或高濕環境中使用。安全：操作時注意安全，避免高壓或真空泄漏風險。7. 故障處理無讀數：檢查電源和連接。讀數不穩：檢查密封性和傳感器狀態。誤差大：重新校準或更換傳感器。皮拉尼真空計在哪些領域有應用？

熱陰極電離真空計（Bayard-Alpert計）通過加熱陰極（銥合金或氧化釔涂層鎢絲）發射電子，電子撞擊氣體分子產生離子，離子電流與壓力成正比。量程10?1~10?? Pa，精度±20%。需避免氧氣環境導致陰極氧化，且高壓（>1 Pa）下可能燒毀燈絲。改進型抑制規（Suppressor Gauge）通過電極設計減少X射線效應，可測至10?1? Pa。4. 冷陰極電離真空計（潘寧規）利用磁場約束放電產生離子，無需加熱陰極。量程1~10?? Pa，抗污染能力強，但啟動壓力需<1 Pa（需預抽真空）。放電不穩定可能導致讀數波動±30%。逆磁控管設計提升靈敏度，用于半導體設備監控。其壽命可達10萬小時，但強磁場可能干擾周圍儀器。如何定制不同企業使用的真空計類型？四川mems真空計生產企業

皮拉尼真空計是一種測量真空壓力的儀器，它是根據皮拉尼原理制成的。廣東金屬電容薄膜真空計公司

真空泵的工作原理真空泵通過機械或物理方式移除氣體分子。旋片泵通過旋轉葉片壓縮氣體排出；渦輪分子泵利用高速葉片撞擊氣體分子；低溫泵則通過冷卻表面吸附氣體。干泵無油污染，適合潔凈環境；擴散泵通過油蒸氣噴射帶走氣體，需配合冷阱使用。選擇泵需考慮極限真空、抽速和氣體類型。4. 真空在半導體制造中的應用芯片制造需10?? Pa超高真空環境。光刻機通過真空避免空氣散射紫外線；離子注入在真空中加速摻雜原子；分子束外延（MBE）逐層生長晶體。真空減少雜質污染，確保納米級精度。一臺EUV光刻機包含數十個真空腔室，真空穩定性直接影響5nm以下制程良率。廣東金屬電容薄膜真空計公司