QUIP的別稱（見(jiàn)QUIP）。51、QUIP（quad in-line package）四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個(gè)側(cè)面引出，每隔一根交錯(cuò)向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm，當(dāng)插入印刷基板時(shí)，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板。是比標(biāo)準(zhǔn)DIP更小的一種封裝。日本電氣公司在臺(tái)式計(jì)算機(jī)和家電產(chǎn)品等的微機(jī)芯片中采用了些種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。52、SDIP（shrink dual in-line package）收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP相同，但引腳中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm），功率集成電路應(yīng)散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。南京節(jié)能集成電路工廠直銷

6、COB（chip on board）板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹(shù)脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是**簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù)。7、DFP（dual flat package）雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見(jiàn)SOP）。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。8、DIC（dual in-line ceramic package）陶瓷DIP（含玻璃密封）的別稱（見(jiàn)DIP）江陰本地集成電路銷售廠家是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C（見(jiàn)QFN）。

5、要保證焊接質(zhì)量焊接時(shí)確實(shí)焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時(shí)間一般不超過(guò)3秒鐘，烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細(xì)查看，比較好用歐姆表測(cè)量各引腳間有否短路，確認(rèn)無(wú)焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。6、不要輕易斷定集成電路的損壞不要輕易地判斷集成電路已損壞。因?yàn)榧呻娐方^大多數(shù)為直接耦合，一旦某一電路不正常，可能會(huì)導(dǎo)致多處電壓變化，而這些變化不一定是集成電路損壞引起的，另外在有些情況下測(cè)得各引腳電壓與正常值相符或接近時(shí)，也不一定都能說(shuō)明集成電路就是好的。因?yàn)橛行┸浌收喜粫?huì)引起直流電壓的變化。

16、FQFP（fine pitch quad flat package）小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見(jiàn)QFP）。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。17、CPAC（globe top pad array carrier）美國(guó)Motorola公司對(duì)BGA的別稱（見(jiàn)BGA）。18、CQFP（quad fiat package with guard ring）帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP之一，引腳用樹(shù)脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變形。在把LSI組裝在印刷基板上之前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀（L形狀）。這種封裝在美國(guó)Motorola公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)**多為208左右。按照J(rèn)EDEC（美國(guó)聯(lián)合電子設(shè)備委員會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)對(duì)QFP進(jìn)行的一種分類。

集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊斯（基于硅（Si）的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。 [6]焊接時(shí)間一般不超過(guò)3秒鐘，烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。江蘇節(jié)能集成電路服務(wù)熱線

因?yàn)橛行┸浌收喜粫?huì)引起直流電壓的變化。南京節(jié)能集成電路工廠直銷

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開(kāi)發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開(kāi)始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹(shù)脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無(wú)明顯差別。布線密度高于MCM－L。南京節(jié)能集成電路工廠直銷

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