65、SOP（small Out-Line package）小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀（L字形）。材料有塑料和陶瓷兩種。另外也叫SOL和DFP。SOP除了用于存儲器LSI外，也***用于規(guī)模不太大的ASSP等電路。在輸入輸出端子不超過10～40的領(lǐng)域，SOP是普及**廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從8～44。另外，引腳中心距小于1.27mm的SOP也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm的SOP也稱為TSOP（見SSOP、TSOP）。還有一種帶有散熱片的SOP。66、SOW（Small Outline Package（Wide-Jype））寬體SOP。部分半導體廠家采用的名稱。是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C（見QFN）?；萆絽^(qū)質(zhì)量集成電路圖片

J形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側(cè)引出向下呈J字形，故此得名。通常為塑料制品，多數(shù)用于DRAM和SRAM等存儲器LSI電路，但絕大部分是DRAM。用SOJ封裝的DRAM器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從20至40（見SIMM）。63、SQL（Small Out-Line L-leaded package）按照JEDEC（美國聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會）標準對SOP所采用的名稱（見SOP）。64、SONF（Small Out-Line Non-Fin）無散熱片的SOP。與通常的SOP相同。為了在功率IC封裝中表示無散熱片的區(qū)別，有意增添了NF（non-fin）標記。部分半導體廠家采用的名稱（見SOP）。蘇州本地集成電路銷售廠家功率集成電路應(yīng)散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。

當沒有特別表示出材料時，多數(shù)情況為塑料QFP。塑料QFP是**普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數(shù)字邏輯LSI電路，而且也用于VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多種規(guī)格。0.65mm中心距規(guī)格中**多引腳數(shù)為304。日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP（FP）。但2000年后日本電子機械工業(yè)會對QFP的外形規(guī)格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為QFP（2.0mm～3.6mm厚）、LQFP（1.4mm厚）和TQFP（1.0mm厚）三種。

QUIP的別稱（見QUIP）。51、QUIP（quad in-line package）四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側(cè)面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標準印刷線路板。是比標準DIP更小的一種封裝。日本電氣公司在臺式計算機和家電產(chǎn)品等的微機芯片中采用了些種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。52、SDIP（shrink dual in-line package）收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP相同，但引腳中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm），測量集成電路引腳直流電壓時，應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬用表，對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型和雙列直插型。江蘇名優(yōu)集成電路市價

小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱（見SOP和SSOP）。部分半導體廠家采用的名稱。惠山區(qū)質(zhì)量集成電路圖片

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術(shù)制成導線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術(shù)定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成?；萆絽^(qū)質(zhì)量集成電路圖片

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