MCM－D是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是比較高的，但成本也高。28、MFP（mini flat package）小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱（見SOP和SSOP）。部分半導體廠家采用的名稱。29、MQFP（metric quad flat package）按照JEDEC（美國聯合電子設備委員會）標準對QFP進行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm的標準QFP（見QFP）。30、MQUAD（metal quad）陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。無錫質量集成電路生產廠家

集成電路，英文為Integrated Circuit，縮寫為IC；顧名思義，就是把一定數量的常用電子元件，如電阻、電容、晶體管等，以及這些元件之間的連線，通過半導體工藝集成在一起的具有特定功能的電路。是20世紀50年代后期到60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體制造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個管殼內的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。集成電路技術包括芯片制造技術與設計技術，主要體現加工設備，加工工藝，封裝測試，批量生產及設計創新的能力上。無錫質量集成電路生產廠家測量集成電路引腳直流電壓時，應選用表頭內阻大于20KΩ/V的萬用表，對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。

這就是初期集成電路的構想，晶體管的發明使這種想法成為了可能，1947年在美國貝爾實驗室制造出來了***個晶體管，而在此之前要實現電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結構脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能，并且克服了電子管的上述缺點，因此在晶體管發明后，很快就出現了基于半導體的集成電路的構想，也就很快發明出來了集成電路。杰克·基爾比（Jack Kilby）和羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期間分別發明了鍺集成電路和硅集成電路。

11、DSO（dual small out-lint）雙側引腳小外形封裝。SOP的別稱（見SOP）。部分半導體廠家采用此名稱。12、DICP（dual tape carrier package）集成電路雙側引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利用的是TAB（自動帶載焊接）技術，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI，但多數為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發階段。在日本，按照EIAJ（日本電子機械工業）會標準規定，將DICP命名為DTP。雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。

模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關系。而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如5G手機、數碼相機、電腦CPU、數字電視的邏輯控制和重放的音頻信號和視頻信號）。制作工藝集成電路按制作工藝可分為半導體集成電路和膜集成電路。膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。功率集成電路應散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態下工作。新吳區質量集成電路現貨

例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關系。無錫質量集成電路生產廠家

球形觸點陣列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陣列載體（PAC）。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP（四側引腳扁平封裝）小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA*為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304 引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳變形問題（見有圖所示）。無錫質量集成電路生產廠家

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