當沒有特別表示出材料時，多數情況為塑料QFP。塑料QFP是**普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數字邏輯LSI電路，而且也用于VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多種規格。0.65mm中心距規格中**多引腳數為304。日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP（FP）。但2000年后日本電子機械工業會對QFP的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為QFP（2.0mm～3.6mm厚）、LQFP（1.4mm厚）和TQFP（1.0mm厚）三種。陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。南京質量集成電路服務熱線

球形觸點陣列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陣列載體（PAC）。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP（四側引腳扁平封裝）小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA*為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304 引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳變形問題（見有圖所示）。江陰好的集成電路工廠直銷用集成電路來裝配電子設備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設備的穩定工作時間也可提高。

13、DIP（dual tape carrier package）同上。日本電子機械工業會標準對DTCP 的命名（見DTCP）。14、FP（flat package）扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見QFP和SOP）的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一，在LSI芯片的電極區制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術中體積**小、**薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數與LSI芯片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片，并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。

21、JLCC（J-leaded chip carrier）J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱（見CLCC和QFJ）。部分半導體廠家采用的名稱。22、LCC（Leadless chip carrier）無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C（見QFN）。23、LGA（land grid array）觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現已實用的有227觸點（1.27mm中心距）和447觸點（2.54mm中心距）的陶瓷LGA，應用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。計算機集成電路，包括控制單元（CPU）、內存儲器、外存儲器、I/O控制電路等。

按外形分集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型（穩定性好，體積小）和雙列直插型。集成電路發展歷史中國集成電路產業誕生于六十年代，共經歷了三個發展階段：1965年-1978年：以計算機和**配套為目標，以開發邏輯電路為主要產品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。江陰好的集成電路工廠直銷

小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP（見QFP）。部分導導體廠家采用此名稱。南京質量集成電路服務熱線

外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，90年代基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。24、LOC（lead on chip）芯片上引線封裝。LSI封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。25、LQFP（low profile quad flat package）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。南京質量集成電路服務熱線

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