13、DIP（dual tape carrier package）同上。日本電子機械工業會標準對DTCP 的命名（見DTCP）。14、FP（flat package）扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見QFP和SOP）的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一，在LSI芯片的電極區制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術中體積**小、**薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數與LSI芯片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片，并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。按照JEDEC（美國聯合電子設備委員會）標準對QFP進行的一種分類。宜興標準集成電路廠家供應

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。宜興好的集成電路廠家供應模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱（見BGA）。

當沒有特別表示出材料時，多數情況為塑料QFP。塑料QFP是**普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數字邏輯LSI電路，而且也用于VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多種規格。0.65mm中心距規格中**多引腳數為304。日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP（FP）。但2000年后日本電子機械工業會對QFP的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為QFP（2.0mm～3.6mm厚）、LQFP（1.4mm厚）和TQFP（1.0mm厚）三種。

外，由于引線的阻抗小，對于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，90年代基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。24、LOC（lead on chip）芯片上引線封裝。LSI封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm左右寬度。25、LQFP（low profile quad flat package）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。測量集成電路引腳直流電壓時，應選用表頭內阻大于20KΩ/V的萬用表，對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。

MCM－D是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是比較高的，但成本也高。28、MFP（mini flat package）小形扁平封裝。塑料SOP或SSOP的別稱（見SOP和SSOP）。部分半導體廠家采用的名稱。29、MQFP（metric quad flat package）按照JEDEC（美國聯合電子設備委員會）標準對QFP進行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm的標準QFP（見QFP）。30、MQUAD（metal quad）前述將電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。江陰質量集成電路產品介紹

同上。日本電子機械工業會標準對DTCP 的命名（見DTCP）。宜興標準集成電路廠家供應

——這是集成電路的布局，模擬電路和數字電路分開，處理小信號的敏感電路與翻轉頻繁的控制邏輯分開，電源單獨放在一角。每層樓的房間布局不一樣，走廊也不一樣，有回字形的、工字形的、幾字形的——這是集成電路器件設計，低噪聲電路中可以用折疊形狀或“叉指”結構的晶體管來減小結面積和柵電阻。各樓層直接有高速電梯可達，為了效率和功能隔離，還可能有多部電梯，每部電梯能到的樓層不同——這是集成電路的布線，電源線、地線單獨走線，負載大的線也寬；時鐘與信號分開；每層之間布線垂直避免干擾；CPU與存儲之間的高速總線，相當于電梯，各層之間的通孔相當于電梯間……宜興標準集成電路廠家供應

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