使用單晶硅晶圓(或III-V族,如砷化鎵)用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件,然后利用微影、薄膜、和CMP技術制成導線,如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量,導線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成,每層由圖像技術定義,通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層(成為擴散層),一些定義哪里額外的離子灌輸(灌輸層),一些定義導體(多晶硅或金屬層),一些定義傳導層之間的連接(過孔或接觸層)。所有的組件由這些層的特定組合構成。模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱(見BGA)。江蘇節能集成電路產品介紹

45、QFP(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。日本電子機械工業會標準所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm、0.3mm等小于0.65mm的QFP(見QFP)。46、QIC(quad in-line ceramic package)陶瓷QFP的別稱。部分半導體廠家采用的名稱(見QFP、Cerquad)。47、QIP(quad in-line plastic package)塑料QFP的別稱。部分半導體廠家采用的名稱(見QFP)。48、QTCP(quad tape carrier package)四側引腳帶載封裝。TCP封裝之一,在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個側面引出。是利用TAB技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。49、QTP(quad tape carrier package)四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會于1993年4月對QTCP所制定的外形規格所用的名稱(見TCP)。50、QUIL(quad in-line)常州常見集成電路圖片用集成電路來裝配電子設備,其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍,設備的穩定工作時間也可提高。

5、要保證焊接質量焊接時確實焊牢,焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時間一般不超過3秒鐘,烙鐵的功率應用內熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細查看,比較好用歐姆表測量各引腳間有否短路,確認無焊錫粘連現象再接通電源。6、不要輕易斷定集成電路的損壞不要輕易地判斷集成電路已損壞。因為集成電路絕大多數為直接耦合,一旦某一電路不正常,可能會導致多處電壓變化,而這些變化不一定是集成電路損壞引起的,另外在有些情況下測得各引腳電壓與正常值相符或接近時,也不一定都能說明集成電路就是好的。因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。
38、PLCC(plastic leaded chip carrier)帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出,呈丁字形,是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用,90年代已經普及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件電路。引腳中心距1.27mm,引腳數從18到84。J形引腳不易變形,比QFP容易操作,但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC與LCC(也稱QFN)相似。以前,兩者的區別*在于前者用塑料,后者用陶瓷。但現在已經出現用陶瓷制作的J形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P-LCC等),已經無法分辨。為此,日本電子機械工業會于1988年決定,把從四側引出J形引腳的封裝稱為QFJ,把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ和QFN)。QFI的別稱(見QFI),在開發初期多稱為MSP。QFI是日本電子機械工業會規定的名稱。

13、DIP(dual tape carrier package)同上。日本電子機械工業會標準對DTCP 的命名(見DTCP)。14、FP(flat package)扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一,在LSI芯片的電極區制作好金屬凸點,然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術中體積**小、**薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數與LSI芯片不同,就會在接合處產生反應,從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片,并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。是高速和高頻IC用封裝,也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見QFN)。錫山區節能集成電路工廠直銷
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。江蘇節能集成電路產品介紹
集成電路(integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上,然后封裝在一個管殼內,成為具有所需電路功能的微型結構;其中所有元件在結構上已組成一個整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發明者為杰克·基爾比(基于鍺(Ge)的集成電路)和羅伯特·諾伊斯(基于硅(Si)的集成電路)。當今半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。 [6]江蘇節能集成電路產品介紹
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