江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝，為第三代半導體材料的加工提供了高效、穩定的解決方案。在實際應用中，優普納的砂輪展現了優越的高精度加工能力，無論是粗磨還是精磨，都能確保加工后的晶圓表面粗糙度極低，總厚度變化控制在微米級別以內。同時，砂輪的磨耗比極低，使用壽命長，為客戶節省了大量成本。此外，優普納的砂輪還能根據客戶設備進行定制，適配性強，能夠滿足不同客戶的多樣化需求。這種綜合優勢，使得優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場中脫穎而出，成為行業的目標，助力國產化替代進程。通過多孔顯微組織調控技術，砂輪在DISCO-DFG8640減薄機上加工8吋SiC線割片 磨耗比30%，Ra≤30nm TTV≤3μm。襯底砂輪發展趨勢

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其優越的**低損耗特性**，為客戶節省了大量的成本。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長。低損耗不只體現在砂輪本身的使用壽命上，還體現在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優普納在國產化替代進程中占據優勢。高性能砂輪制程工藝在8吋SiC線割片的精磨加工中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上實現磨耗比200%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。

優普納砂輪以國產價格提供進口品質，單次加工成本降低40%。例如，進口砂輪精磨8吋SiC晶圓磨耗比通常超過250%，而優普納產品只需200%，且Ra≤3nm的精度完全滿足5G、新能源汽車芯片制造需求。客戶反饋顯示，國產替代后設備停機更換頻率減少50%，年維護成本節省超百萬元。針對不同設備（如DISCO-DFG8640、東京精密HRG200X），優普納提供基體優化設計砂輪，增強冷卻液流動性，減少振動。支持定制2000#至30000#磨料粒度，適配粗磨、半精磨、精磨全工藝。案例中，6吋SiC晶圓使用30000#砂輪精磨后TTV≤2μm，表面質量達國際先進水平。

精磨減薄砂輪的應用領域極為廣，尤其是在半導體產業蓬勃發展的當下，其重要性愈發凸顯。在半導體芯片制造環節，晶圓減薄是關鍵工序。隨著芯片不斷向小型化、高性能化發展，對晶圓減薄的精度和表面質量要求達到了近乎嚴苛的程度。江蘇優普納的精磨減薄砂輪，憑借優越的性能，成為眾多半導體制造企業的優先選擇。在SiC晶圓減薄中，可有效減小芯片封裝體積，改善芯片的熱擴散效率，提升電氣性能和力學性能。此外，在光學領域，如非球面鏡片的加工，精磨減薄砂輪也發揮著重要作用。非球面鏡片具有獨特的光學特性，能有效矯正像差，提高成像質量。優普納的相關砂輪產品，通過精確控制磨削量和表面粗糙度，助力光學元件制造商生產出高精度的非球面鏡片，應用于攝影鏡頭、望遠鏡、顯微鏡等光學儀器中。不僅如此，在精密機械制造、電子封裝等領域，精磨減薄砂輪同樣大顯身手，為各行業的精密制造提供了有力支持，推動著相關產業不斷向更高精度、更高性能方向發展。碳化硅晶圓減薄砂輪，采用高性能陶瓷結合劑及“Dmix+”制程工藝，為第三代半導體材料加工提供高效的方案。

江蘇優普納科技有限公司：5G基站氮化鎵（GaN）器件對晶圓表面質量要求極高，江蘇優普納科技有限公司的砂輪通過超精密磨削工藝實現Ra≤3nm的鏡面效果。某通信設備制造商采用優普納砂輪加工6吋GaN襯底，精磨磨耗比120%，TTV≤2μm，芯片良率從88%提升至95%，單月產能突破10萬片。這一案例驗證了國產砂輪在高頻、高功率半導體領域的可靠性與競爭力。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。砂輪適配國內外主流減薄設備，根據不同材料和尺寸定制 滿足多元化加工需求 推動國產半導體產業自主可控發展。深圳國產化砂輪

在8吋SiC線割片的粗磨加工中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上達到磨耗比30%，Ra≤30nm，TTV≤3μm。襯底砂輪發展趨勢

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能保持穩定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優異。這種技術優勢不只滿足了半導體制造的需求，還為國產化替代提供了堅實的技術支持。襯底砂輪發展趨勢