江蘇優普納科技有限公司：5G基站氮化鎵（GaN）器件對晶圓表面質量要求極高，江蘇優普納科技有限公司的砂輪通過超精密磨削工藝實現Ra≤3nm的鏡面效果。某通信設備制造商采用優普納砂輪加工6吋GaN襯底，精磨磨耗比120%，TTV≤2μm，芯片良率從88%提升至95%，單月產能突破10萬片。這一案例驗證了國產砂輪在高頻、高功率半導體領域的可靠性與競爭力。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。在8吋SiC線割片的精磨加工中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上實現磨耗比200%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。減薄工藝砂輪聯系方式

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能保持穩定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優異。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。SiC砂輪適配設備砂輪適配國內外主流減薄設備，根據不同材料和尺寸定制 滿足多元化加工需求 推動國產半導體產業自主可控發展。

襯底粗磨減薄砂輪的應用工序主要包括背面減薄和正面磨削的粗磨加工。在背面減薄過程中，砂輪需要與晶圓保持恒定的接觸面積，以確保磨削力的穩定，避免晶圓出現破片或亞表面損傷。江蘇優普納科技有限公司的襯底粗磨減薄砂輪經過精心設計和制造，具有優異的端面跳動和外圓跳動控制，能夠在高轉速下保持穩定的磨削性能。此外，我們的砂輪還具有良好的散熱性能，能夠有效降低磨削過程中產生的熱量，保護晶圓不受熱損傷。歡迎您的隨時致電咨詢~

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能保持穩定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優異。這種技術優勢不只滿足了半導體制造的需求，還為國產化替代提供了堅實的技術支持。在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪對8吋SiC線割片進行精磨，磨耗比300%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。

江蘇優普納科技有限公司：碳化硅減薄砂輪已通過東京精密、DISCO等主流設備的兼容性測試，并獲得多家國際半導體廠商的認證。例如，在DISCO-DFG8640設備上，優普納砂輪連續加工1000片8吋SiC晶圓后，磨耗比仍穩定在200%以內，精度無衰減。這一表現不只達到進口砂輪水平，更以快速交付與本地化服務贏得客戶青睞，成為國產替代優先選擇的品牌。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。在實際案例中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上對8吋SiC線割片進行精磨，磨耗比200% Ra≤3nm TTV≤2μm。第三代半導體減磨砂輪供應商家

優普納砂輪采用的多孔顯微組織調控技術，不僅提升研削性能，還確保散熱良好，避免加工過程中的熱損傷。減薄工藝砂輪聯系方式

在半導體加工領域，精度是衡量產品質量的關鍵指標。江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其專研的強度高微晶增韌陶瓷結合劑和多孔顯微組織調控技術，能夠實現極高的加工精度。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，無論是6吋還是8吋的SiC線割片，加工后的表面粗糙度Ra值均能達到納米級別，總厚度變化TTV控制在微米級別以內。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，還為優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場奠定了堅實的基礎，使其成為高精度加工的代名詞。減薄工藝砂輪聯系方式