襯底粗磨減薄砂輪是半導體制造中的關鍵工具，尤其在晶圓襯底減薄工藝中發(fā)揮著不可替代的作用。隨著新能源汽車、軌道交通、消費電子等行業(yè)的快速發(fā)展，市場對于芯片和功率器件的性能要求越來越高，這直接推動了襯底粗磨減薄砂輪技術的不斷進步。在江蘇優(yōu)普納科技有限公司，我們專注于研發(fā)和生產品質高的襯底粗磨減薄砂輪，以滿足客戶日益增長的需求。我們的砂輪采用先進的金剛石磨料和品質高結合劑，確保在粗磨過程中具有出色的磨削效率和穩(wěn)定性，同時能更大限度地減少晶圓表面的損傷，提高芯片良率。在8吋SiC線割片的精磨加工中，優(yōu)普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上實現(xiàn)磨耗比200%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。氮化鎵砂輪源頭工廠

江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現(xiàn)了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優(yōu)普納的砂輪都能保持穩(wěn)定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優(yōu)異。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。浙江適配砂輪通過多孔顯微組織調控技術，砂輪在DISCO-DFG8640減薄機上加工8吋SiC線割片 磨耗比30%，Ra≤30nm TTV≤3μm。

江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其低損耗特性成為半導體加工領域的理想選擇。其獨特的多孔顯微組織調控技術，使得砂輪在高磨削效率的同時，磨耗比極低。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋SiC線割片的磨耗比只為15%，而8吋SiC線割片的磨耗比也只為35%。這意味著在長時間的加工過程中，砂輪的磨損極小，使用壽命更長，為客戶節(jié)省了大量的成本。低損耗不只體現(xiàn)在砂輪本身的使用壽命上，還體現(xiàn)在加工后的晶圓表面質量上，損傷極小，進一步提升了產品的性價比，助力優(yōu)普納在國產化替代進程中占據(jù)優(yōu)勢。

江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，展現(xiàn)了強大的設備適配性。其基體優(yōu)化設計能夠根據(jù)客戶不同設備需求進行定制，無論是東京精密還是DISCO的減薄機，都能完美適配。這種強適配性不只減少了客戶在設備調整上的時間和成本，還確保了加工過程的高效性和穩(wěn)定性。在DISCO-DFG8640減薄機的實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優(yōu)普納砂輪都能保持穩(wěn)定的性能，滿足不同加工需求。這種強適配性，使得優(yōu)普納的砂輪在市場上更具競爭力，能夠快速響應客戶需求，為客戶提供一站式的解決方案，進一步鞏固其在國產碳化硅減薄砂輪市場的先進地位。砂輪于東京精密-HRG200X減薄機上，使8吋SiC線割片磨耗比達300% Ra≤3nm TTV≤2μm 彰顯高精度與高磨耗比優(yōu)勢。

江蘇優(yōu)普納科技有限公司的強度高微晶增韌陶瓷結合劑通過納米級陶瓷相復合技術，明顯提升砂輪抗沖擊性與耐磨性。在6吋SiC襯底粗磨中，砂輪磨耗比低至11%，且無邊緣崩缺現(xiàn)象，TTV精度穩(wěn)定≤3μm。該技術尤其適用于碳化硅等高硬度材料加工，對比傳統(tǒng)樹脂結合劑砂輪，壽命延長50%，減少設備停機換輪頻率，助力客戶實現(xiàn)連續(xù)化生產。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。優(yōu)普納科技的碳化硅晶圓減薄砂輪，以技術創(chuàng)新為驅動，不斷優(yōu)化產品性能，滿足了第三代半導體材料加工需求。碳化硅砂輪

優(yōu)普納砂輪采用的多孔顯微組織調控技術，不僅提升研削性能，還確保散熱良好，避免加工過程中的熱損傷。氮化鎵砂輪源頭工廠

針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優(yōu)普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩(wěn)定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。氮化鎵砂輪源頭工廠