按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類： 1.半控型器件，例如晶閘管； 2.全控型器件，例如GTO（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）； 3.不可控器件，例如電力二極管。 按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類： 1.電壓驅動型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（靜電感應晶閘管）； 2.電流驅動型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。 根據驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類： 1.脈沖觸發型，例如晶閘管、GTO； 2.電子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類： 1.雙極型器件，例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR； 2.單極型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管； 3.復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）、IGBT、SITH和IGCT。單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。錫山區標準電子元器件誠信服務
功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流、高電壓發展過程中所積累起來的各種經驗，又綜合了大規模集成電路的工藝特點。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積，因而能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態時寄生參數的影響，這對提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要。 近期進展：2014年，美國奧巴馬政fu連同企業一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute，發展新一代寬禁帶電力半導體器件。常州好的電子元器件多長時間電子元件的元件分類：電線與開關。
進一步提高其工作頻率仍然受到基區和集電區少子儲存效應的影響。70年代中期發展起來的單極型MOS功率場效應晶體管， 由于不受少子儲存效應的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性，不易出現熱激發二次擊穿現象；需要擴大電流容量時，器件并聯簡單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率；在制造工藝上便于大規模集成。但它的通態壓降較大，制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達數十安，阻斷電壓近千伏。
從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路。這些電路十分廣fan地用在電解、電鍍、直流電機傳動、發電機勵磁等整流裝置中，與傳統的汞弧整流裝置相比，不jin體積小、工作可靠，而且取得了十分明顯的節能效果（一般可節電10～40%，從中國的實際看，因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3，若采用交流電動機調速傳動, 可平均節電20%以上，每年可節電400億千瓦時）,因此電力電子技術的發展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單，逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。電力電子器件的優缺點。
20世紀50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發展起來的晶閘管，因其工作可靠、壽命長、體積小、開關速度快，而在電力電子電路中得到廣fan應用。70年代初期，已逐步取代了汞弧閘流管。80年代，普通晶閘管的開關電流已達數千安，能承受的正、反向工作電壓達數千伏。在此基礎上，為適應電力電子技術發展的需要，又開發出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場效應晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。溧陽好的電子元器件推薦
電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發展。錫山區標準電子元器件誠信服務
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