電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發展。80年代晶閘管的電流容量已達6000安，阻斷電壓高達6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率，取決于器件關斷期間如何加快基區少數載流子(簡稱少子)的復合速度和經門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程，卻導致器件導通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉換速度和器件通態功率損耗的要求。80年代這類器件的*高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達數百安，阻斷電壓1千多伏,但維持通態比其他功率可控器件需要更大的基極驅動電流。由于存在熱激發二次擊穿現象，限制它的抗浪涌能力。電力電子器件的優缺點。武進區科技化電子器件銷售透氣

功率器件幾乎用于所有的電子制造業,包括計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網絡通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備;消費電子領域的傳統黑白家電和各種數碼產品;工業控制類中的工業PC、各類儀器儀表和各類控制設備等。 除了保證這些設備的正常運行以外，功率器件還能起到有效的節能作用。由于電子產品的需求以及能效要求的不斷提高，中國功率器件市場一直保持較快的發展速度。 國家統計局數據顯示，2010年中國功率器件行業共有規模以上企業498家，全行業實現銷售收入1015.11億元，同比增長6.86%;實現利潤總額85.27億元，同比增長47.54%。從企業經濟類型來看，三資企業數量*多，其企業數量占行業數量的47.19%。從企業數量、銷售收入以及資產規模來看，江蘇、廣東和浙江等省所占的份額居多天寧區正規電子器件銷售均價電力電子器件就好像現代電力電子裝置的心臟。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類： 1.半控型器件，例如晶閘管； 2.全控型器件，例如GTO（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）； 3.不可控器件，例如電力二極管。 按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類： 1.電壓驅動型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（靜電感應晶閘管）； 2.電流驅動型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。 根據驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類： 1.脈沖觸發型，例如晶閘管、GTO； 2.電子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類： 1.雙極型器件，例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR； 2.單極型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管； 3.復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）、IGBT、SITH和IGCT。

電子元件是電子電路中的基本元素，通常是個別封裝，并具有兩個或以上的引線或金屬接點。電子元件須相互連接以構成一個具有特定功能的電子電路，例如：放大器、無線電接收機、振蕩器等，連接電子元件常見的方式之一是焊接到印刷電路板上。電子元件也許是單獨的封裝（電阻器、電容器、電感器、晶體管、二極管等），或是各種不同復雜度的群組，例如：集成電路（運算放大器、排阻、邏輯門等）。 電子器件是指在真空、氣體或固體中，利用和控制電子運動規律而制成的器件。分為電真空器件、充氣管器件和固態電子器件。在模擬電路中作整流、放大、調制、振蕩、變頻、鎖相、控制、相關等作用；在數字電路中作采樣、限幅、邏輯、存儲、計數、延遲等用。充氣管器件主要作整流、穩壓和顯示之用。固態電子器件如集成電路。80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。

20世紀50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發展起來的晶閘管，因其工作可靠、壽命長、體積小、開關速度快，而在電力電子電路中得到廣fan應用。70年代初期，已逐步取代了汞弧閘流管。80年代，普通晶閘管的開關電流已達數千安，能承受的正、反向工作電壓達數千伏。在此基礎上，為適應電力電子技術發展的需要，又開發出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場效應晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。20世紀50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。江蘇科技化電子器件銷售網上價格

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