電力二極管：結構和原理簡單，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅動，驅動功率?。蝗秉c：開關速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低；缺點：開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題 GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強；缺點：電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低 電力MOSFET：開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題；缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素：耐壓，電流容量，開關的速度電力電子器件就好像現代電力電子裝置的心臟。錫山區標準電子元件銷售多長時間

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類： 1.半控型器件，例如晶閘管； 2.全控型器件，例如GTO（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）； 3.不可控器件，例如電力二極管。 按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類： 1.電壓驅動型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（靜電感應晶閘管）； 2.電流驅動型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。 根據驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類： 1.脈沖觸發型，例如晶閘管、GTO； 2.電子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類： 1.雙極型器件，例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR； 2.單極型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管； 3.復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）、IGBT、SITH和IGCT。溧陽口碑好的電子元件銷售推薦貨源電力電子器件的優缺點。

單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。因此，由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以，在實用中多用幾個電力電子器件串聯或并聯形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯時，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性，串、并聯時，各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。所以，在電力電子器件串聯時，要采取均壓措施；在并聯時，要采取均流措施。 電力電子器件工作時，會因功率損耗引起器件發熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此，必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發冷卻式等。

功率器件幾乎用于所有的電子制造業,包括計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網絡通信領域的手機、電話以及其它各種終端和局端設備;消費電子領域的傳統黑白家電和各種數碼產品;工業控制類中的工業PC、各類儀器儀表和各類控制設備等。 除了保證這些設備的正常運行以外，功率器件還能起到有效的節能作用。由于電子產品的需求以及能效要求的不斷提高，中國功率器件市場一直保持較快的發展速度。 國家統計局數據顯示，2010年中國功率器件行業共有規模以上企業498家，全行業實現銷售收入1015.11億元，同比增長6.86%;實現利潤總額85.27億元，同比增長47.54%。從企業經濟類型來看，三資企業數量*多，其企業數量占行業數量的47.19%。從企業數量、銷售收入以及資產規模來看，江蘇、廣東和浙江等省所占的份額居多80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。

進一步提高其工作頻率仍然受到基區和集電區少子儲存效應的影響。70年代中期發展起來的單極型MOS功率場效應晶體管， 由于不受少子儲存效應的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性，不易出現熱激發二次擊穿現象；需要擴大電流容量時，器件并聯簡單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率；在制造工藝上便于大規模集成。但它的通態壓降較大，制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達數十安，阻斷電壓近千伏。從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路。梁溪區質量電子元件銷售價格實惠

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