電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡單，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率??；缺點：開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，通流能力強，飽和壓降低；缺點：開關(guān)速度低，為電流驅(qū)動，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，存在二次擊穿問題 GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強；缺點：電流關(guān)斷增益很小，關(guān)斷時門極負脈沖電流大，開關(guān)速度低，驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜，開關(guān)頻率低 電力MOSFET：開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題；缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素：耐壓，電流容量，開關(guān)的速度從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件，主要用于相控電路。好的電子元件銷售價格

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術(shù)促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點，在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應(yīng)晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周圍先導(dǎo)通然后逐步橫向擴展的過程，所以比一般晶閘管有更高的開關(guān)速度，而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高。這些新器件，在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求?；萆絽^(qū)關(guān)于電子元件銷售價格電子元件是電子電路中的基本元素。

進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應(yīng)的影響。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應(yīng)晶體管， 由于不受少子儲存效應(yīng)的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導(dǎo)通電流具有負溫度特性，不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象；需要擴大電流容量時，器件并聯(lián)簡單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動功率；在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但它的通態(tài)壓降較大，制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達數(shù)十安，阻斷電壓近千伏。

各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定，除了改變加在二端間的電壓外，無法控制其陽極電流，故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件，其門極信號能控制元件的導(dǎo)通，但不能控制其關(guān)斷，稱半控型器件?？申P(guān)斷晶閘管、功率晶體管等器件，其門極信號既能控制器件的導(dǎo)通，又能控制其關(guān)斷，稱全控型器件。后兩類器件控制靈活，電路簡單，開關(guān)速度快，廣fan應(yīng)用于整流、逆變、斬波電路中，是電動機調(diào)速、發(fā)電機勵磁、感應(yīng)加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件。這些器件構(gòu)成裝置不jin體積小、工作可靠，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%)。按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類： 1.半控型器件，例如晶閘管； 2.全控型器件，例如GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）； 3.不可控器件，例如電力二極管。 按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)分類： 1.電壓驅(qū)動型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）； 2.電流驅(qū)動型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。 根據(jù)驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類： 1.脈沖觸發(fā)型，例如晶閘管、GTO； 2.電子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類： 1.雙極型器件，例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR； 2.單極型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管； 3.復(fù)合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）、IGBT、SITH和IGCT。功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。金壇區(qū)標準電子元件銷售

電子元件的元件分類：電線與開關(guān)。好的電子元件銷售價格

同其他傳統(tǒng)加工類產(chǎn)品相似，我國紡織、皮革仍處在產(chǎn)業(yè)鏈的末端，對國際市場類分銷的中間環(huán)節(jié)還缺少操控能力，對零售環(huán)節(jié)的網(wǎng)絡(luò)建立還處在初始階段。出口產(chǎn)品附加值低，單位能耗產(chǎn)生的產(chǎn)值低等，都迫使我國產(chǎn)業(yè)一定要調(diào)整結(jié)構(gòu)，改變原有的貿(mào)易增長方式，從而贏得競爭勝利。貿(mào)易型預(yù)計到2018年底，產(chǎn)業(yè)用紡織品將超越家紡排在紡織三大終端領(lǐng)域第二位，產(chǎn)業(yè)用紡織品在“十三五”末占整個紡織工業(yè)比重將達1/3，并有可能超預(yù)期。這是多年來紡織工業(yè)堅持結(jié)構(gòu)調(diào)整的成果，產(chǎn)業(yè)用紡織品行業(yè)已經(jīng)邁入從高速增長向高質(zhì)量發(fā)展的新階段。隨著節(jié)能減排以及環(huán)保要求越來越高，淘汰落后有限責任公司作為我國結(jié)構(gòu)調(diào)整的一個政策將長期存在并持續(xù)加強。據(jù)統(tǒng)計，2008年年底，我國規(guī)模以上制革企業(yè)*788家。大量的小制革企業(yè)不僅帶來了環(huán)境污染，也給行業(yè)發(fā)展帶來了阻礙，為此，我國決定，制革行業(yè)3a淘汰3000萬張落后產(chǎn)能。商品及技術(shù)的進出口，縫紉制品的制造，電子器件的銷售，日用百貨的銷售的原始創(chuàng)新近年來實現(xiàn)了重大突破，產(chǎn)品**化趨勢越發(fā)明顯，不少企業(yè)的產(chǎn)品已經(jīng)填補國內(nèi)外空白，產(chǎn)品**化也降低了國內(nèi)市場對于國際產(chǎn)品的依賴。好的電子元件銷售價格

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