晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）；場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨耦器）。晶體管是一種半導體器件，放大器或電控開關常用。晶體管是規范操作電腦，手機，和所有其他現代電子電路的基本構建塊。由于其響應速度快，準確性高，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能，包括放大，開關，穩壓，信號調制和振蕩器。晶體管可包裝或在一個非常小的的區域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。平面晶體管主導了整個半導體工業很長一段時間。達林頓晶體管出廠價格

晶體管公共發射極（CE）配置：在此電路中，放置了發射極輸入和輸出通用。輸入信號施加在基極和發射極之間，輸出信號施加在集電極和發射極之間。Vbb和Vcc是電壓。它具有高輸入阻抗，即（500-5000歐姆）。它具有低輸出阻抗，即（50-500千歐）。電流增益將很高（98），即beta（dc）=Ic/Ie功率增益高達37db。輸出將異相180度。晶體管公共集電極配置：在此電路中，集電極對輸入和輸出均通用。這也稱為發射極跟隨器。輸入阻抗高（150-600千歐），輸出阻抗低（100-1000歐）。電流增益會很高（99）。電壓增益將小于1。功率增益將是平均的。達林頓晶體管出廠價格單結晶體管工作在飽和區時，其e、b1極之間的等效阻值非常小，e、b1極之間相當于一個閉合的開關。

晶體管（transistor）是一種類似于閥門的固體半導體器件，可以用于放大、開關、穩壓、信號調制和許多其他功能。在1947年，由美國物理學家約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和英國物理學家威廉·肖克利（WilliamShockley，1910—1989）所發明。他們也因為半導體及晶體管效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。二戰之后，貝爾實驗室成立了一個固體物理研究小組，他們要制造一種能替代電子管的半導體器件。此前，貝爾實驗室就對半導體材料進行了研究，發現摻雜的半導體整流性能比電子管好。因此小組把注意力放在了鍺和硅這兩種半導體材料上。

晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）.晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極(Base)和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）.晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨耦器）.這使我們更接近于制造光學晶體管。

晶體管的電流放大作用如下圖所示為基本放大電路，為輸入電壓信號，它接入基極-發射極回路，稱為輸入回路；放大后的信號在集電極-發射極回路，稱為輸出回路。由于發射極是兩個回路的公共端，故稱該電路為共射放大電路。晶體管工作在放大狀態的外部條件是發射結正偏且集電結反向偏置，所以輸入回路加的基極電源和輸出回路加的集電極電源的晶體管的結構及類型用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區域，并形成兩個PN結，就構成了晶體管。結構如圖(a)所示，位于中間的P區稱為基區，它很薄且雜質濃度很低；位于上層的N區是發射區，摻雜濃度很高；位于下層的N區是集電區，面積很大；它們分別引出電極為基極b,發射極e和集電極c。就要制造出來，晶體管就是在晶圓上直接雕出來的，晶圓越大，芯片制程越小。達林頓晶體管出廠價格

二極管、三極管、場效應管都是半導體器件.達林頓晶體管出廠價格

RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻RBB---雙基極晶體管的基極間電阻RE---射頻電阻RL---負載電阻Rs(rs)----串聯電阻Rth----熱阻R(th)ja----結到環境的熱阻Rz(ru)---動態電阻R(th)jc---結到殼的熱阻r；δ---衰減電阻r(th)---瞬態電阻Ta---環境溫度Tc---殼溫td---延遲時間tf---下降時間tfr---正向恢復時間tg---電路換向關斷時間tgt---門極控制極開通時間Tj---結溫Tjm---比較高結溫ton---開通時間toff---關斷時間tr---上升時間trr---反向恢復時間ts---存儲時間tstg---溫度補償二極管的貯成溫度a---溫度系數λp---發光峰值波長△。達林頓晶體管出廠價格